时间：2025/5/15 13:25:18
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LESD8D3.3CN3T5G 是一款基于砷化镓（GaAs）材料的高效能肖特基二极管，采用 SOD-123FL 封装形式。该芯片主要应用于高频、高速开关电路以及低电压降场景，具备低正向压降和快速恢复时间的特点，非常适合便携式电子设备和电源管理模块中的整流与保护功能。
其核心设计旨在降低功耗并提高系统效率，同时保持良好的热稳定性和可靠性。
型号：LESD8D3.3CN3T5G
封装：SOD-123FL
正向电压（Vf）：0.33V（典型值，@If=100mA）
反向击穿电压（Vr）：40V
最大正向电流（If）：200mA
反向漏电流（Ir）：1μA（@Vr=30V，25°C）
结电容（Cj）：4pF（典型值，@Vr=0V，f=1MHz）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +175°C
热阻（RthJA）：225°C/W
1. 超低正向压降确保更高的系统效率和更低的功耗。
2. 快速恢复时间（小于4ns），适用于高频应用。
3. 紧凑型 SOD-123FL 封装，节省 PCB 空间并支持表面贴装工艺。
4. 高反向耐压能力（达40V），提供更广泛的适用性。
5. 极低的反向漏电流，确保在高温条件下仍能维持高可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，无铅环保设计。
7. 在极端温度环境下表现稳定，适合工业和汽车级应用。
1. 开关电源（SMPS）中的次级整流。
2. USB 充电器及适配器中的保护电路。
3. 可穿戴设备和其他便携式电子产品中的低功耗管理。
4. 数据通信接口的瞬态电压抑制。
5. 高频信号链路中的隔离与耦合。
6. 电池管理系统（BMS）中的单向导通保护。
7. 工业控制和汽车电子中的辅助电源模块。
RB521L-03CT, BAS70-03, SS8D
