MBR850DC是一款表面贴装的肖特基二极管,专为高电流、低电压整流应用设计。该器件采用了先进的肖特基势垒技术,具有较低的正向压降和快速的开关特性,适用于各种电源管理和转换应用。
最大重复峰值反向电压:50V
最大平均整流电流:8A
正向压降(最大值):0.45V @ 8A
最大反向漏电流:200μA @ 50V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
MBR850DC的主要特性包括低正向压降、高电流能力和快速恢复时间,这使其在电源转换器和续流二极管应用中表现出色。其表面贴装封装设计减少了电路板空间占用,同时提高了热性能。此外,该器件的高浪涌电流能力使其能够承受瞬态过载条件,增强了系统的可靠性。
MBR850DC采用坚固的封装设计,能够承受较高的机械应力和热应力。这种二极管在高温环境下仍能保持稳定的工作性能,适用于恶劣的工作条件。此外,其低反向漏电流特性有助于减少能量损耗,提高整体效率。
MBR850DC广泛应用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电池充电器、逆变器以及需要高效整流和续流功能的电路中。它特别适合用于需要高效率和紧凑设计的现代电子设备,如笔记本电脑电源适配器、服务器电源系统和工业自动化设备。
MBR845, MBR860, SR3050