MBR850D 时间：2025/8/14 23:08:43 阅读：5

MBR850D是一款由ON Semiconductor生产的肖特基势垒整流器（Schottky Barrier Rectifier），采用双共阴极配置。该器件专为高频开关电源、逆变器和整流应用设计，具有低正向压降和快速开关特性，有助于提高系统效率并减少热量产生。MBR850D通常采用DPAK（TO-252）封装，适用于表面贴装工艺。

参数

最大重复峰值反向电压：50V
　　最大平均整流电流：8A（每元件）
　　正向电压降（IF=8A时）：0.45V至0.65V
　　反向漏电流（VR=50V时）：≤0.5mA
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　结温：最大+150°C
　　封装类型：DPAK（TO-252）

特性

MBR850D的主要特性之一是其低正向压降，这有助于减少导通损耗并提高能效。在8A的正向电流下，其正向电压降仅为0.45V到0.65V之间，相比传统整流器具有明显优势。此外，该器件具备快速恢复时间，通常在30ns以下，适用于高频开关应用，能有效降低开关损耗。
　　MBR850D采用了双共阴极配置，这意味着两个肖特基二极管共享一个公共阴极端子，适用于双路整流或同步整流拓扑结构。这种设计简化了PCB布局，并提高了功率密度。此外，该器件具有较高的浪涌电流承受能力，可在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。
　　在热管理方面，MBR850D采用DPAK（TO-252）封装，具有良好的散热性能。该封装形式适用于表面贴装技术，便于自动化生产并提高装配效率。此外，该器件可在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于各种工业和消费类应用。

应用

MBR850D广泛应用于各类电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器和逆变器等。其低正向压降和快速恢复时间使其非常适合用于高频整流电路，有助于提高系统效率并减少热量产生。
　　在通信设备中，MBR850D可用于电源模块和适配器，提供高效的整流功能。此外，在消费类电子产品中，如笔记本电脑电源适配器、LED照明驱动电源等，该器件也能发挥良好的性能。
　　工业自动化设备、不间断电源（UPS）以及新能源系统（如太阳能逆变器）也常采用MBR850D作为整流元件。其双共阴极配置特别适用于双路输出电源设计，可简化电路结构并提高系统的可靠性。