MBR840 时间：2025/12/26 10:58:07 阅读：11

MBR840是一款由多家半导体制造商生产的表面贴装肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），通常采用D-Pak或TO-277等封装形式。该器件由两个独立的肖特基二极管芯片集成在一个封装内，构成双二极管结构，广泛应用于低压、高效率的整流和续流场合。由于其低正向导通压降和快速开关特性，MBR840特别适合用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及各类需要高效能功率管理的电子系统中。肖特基二极管不同于传统的PN结二极管，其工作原理基于金属-半导体接触形成的势垒，因此具备更小的导通电压（通常在0.3V至0.5V之间），从而显著降低功耗并提高系统整体效率。MBR840的额定平均整流电流为4.0A，反向重复峰值电压为40V，适用于低电压输出的电源设计。此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适合在紧凑型高密度电路板上使用。由于其表面贴装封装，便于自动化贴片生产，提高了制造效率和产品一致性。

参数

类型：双肖特基势垒二极管
　　封装：TO-277（D-Pak）
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流反向电压（VR）：40V
　　平均整流电流（IO）：4.0A（单个二极管）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：100A（8.3ms半正弦波）
　　正向压降（VF）：典型值0.48V，最大值0.55V（在TA=25°C，IF=4.0A条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大值0.5mA（在VR=40V，TA=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约50°C/W（依PCB布局而定）
　　引脚数量：3
　　极性配置：共阴极（Common Cathode）

特性

MBR840的核心优势在于其采用肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，这在低电压大电流的应用场景中至关重要。例如，在现代开关电源中，输出电压往往低于5V甚至低至1V以下，若使用传统硅PN结二极管（VF≈0.7V），其导通损耗将占总输出功率的相当大比例，严重降低系统效率。而MBR840的典型正向压降仅为0.48V，在4A电流下每只二极管的功耗约为1.92W，显著低于传统二极管，有助于提升电源的整体转换效率。此外，该器件具备非常快的反向恢复时间（trr），理论上接近于零，因为肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关应用中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，减少了电磁干扰（EMI）和开关损耗，提升了系统的稳定性与可靠性。
　　另一个关键特性是其双二极管共阴极结构设计，这种配置非常适合同步整流拓扑中的副边整流或中心抽头变压器整流电路，如半桥或全桥LLC谐振变换器、正激式转换器等。每个二极管可独立工作，共享同一散热焊盘，有利于热量集中传导至PCB地层进行有效散热。MBR840的封装具备较大的金属散热底座，可通过PCB上的大面积铜箔实现良好的热管理，确保在持续高负载运行下的长期可靠性。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于消费类电子、通信设备、工业控制等多种领域。其宽泛的工作温度范围使其能在恶劣环境条件下稳定运行，增强了系统的适应能力。

应用

MBR840广泛应用于各种需要高效、低压整流的电力电子系统中。最典型的应用是在开关电源（SMPS）中作为次级侧整流二极管，特别是在输出电压较低（如3.3V、5V、12V）但输出电流较大的电源模块中，其低VF特性可以显著减少导通损耗，提升整体能效。它常用于AC-DC适配器、笔记本电脑电源、LED驱动电源、路由器和网络设备电源单元等产品中。此外，在DC-DC降压或升压转换器中，MBR840也常用作续流二极管（freewheeling diode）或钳位二极管，以防止电感反电动势对主开关管造成损坏，同时提高能量回收效率。
　　在光伏逆变器和电池管理系统中，MBR840可用于防反接保护电路或旁路二极管，确保电流单向流动，防止倒灌。在电机驱动电路中，它可以作为感应负载的续流路径，抑制电压尖峰，保护控制芯片。由于其表面贴装封装形式，特别适合自动化SMT生产线，广泛应用于高密度印刷电路板（PCB）设计中，节省空间并提高组装效率。此外，在汽车电子辅助电源系统、车载充电器及工业电源模块中也有广泛应用。值得一提的是，在一些低成本同步整流替代方案中，尽管MBR840不具备主动控制功能，但在轻载或中等负载条件下仍可提供优于普通二极管的效率表现，因此被广泛采纳。