最大重复峰值反向电压：35V
　　最大平均整流电流：3A（每个二极管）
　　正向压降（IF=3A）：0.55V（最大）
　　反向漏电流（VR=35V）：0.5mA（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：DPAK（TO-252AA）

MBR835B采用了先进的肖特基势垒技术，具有极低的正向压降和快速恢复时间，从而显著提高了整流效率并减少了开关损耗。该器件的双二极管结构设计允许其在多种拓扑结构中使用，例如并联连接以增加电流能力或串联连接以提高耐压能力。此外，MBR835B的DPAK封装提供了良好的热性能，能够在高功率密度应用中有效散热。
　　该器件还具备良好的温度稳定性，在高温环境下仍能保持较低的正向压降和反向漏电流，从而确保系统在高负载条件下的稳定性与可靠性。由于其表面贴装封装设计，MBR835B非常适合自动化生产流程，提高了PCB布局的灵活性和设计的紧凑性。此外，MBR835B的封装材料符合RoHS标准，符合环保要求。

MBR835B广泛应用于各类电源管理系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、逆变器以及极性保护电路。在便携式电子设备中，该器件可用于提高能效并延长电池续航时间。在通信设备中，MBR835B常用于电源模块和稳压电路中，以确保稳定可靠的电源供应。
　　此外，MBR835B也可用于汽车电子系统中，例如车载充电器、发电机整流模块和LED照明驱动电路。由于其良好的热性能和高电流能力，该器件在高功率密度和高可靠性要求的应用中表现出色。在工业控制系统中，MBR835B可作为续流二极管用于电机驱动或变频器电路中，起到保护功率开关器件的作用。

MBR835CT, SR330, SB330, MBR840B