时间：2025/9/3 11:07:26
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MBR8035是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的肖特基二极管阵列芯片。该器件采用了先进的硅外延平面技术，具有低正向电压降和快速恢复时间的特性，非常适合用于高频率开关电源、DC/DC转换器以及功率整流电路中。MBR8035采用双二极管结构，通常封装在TO-220AB或D2PAK（TO-263AB）等高功率塑料封装中，具备良好的散热性能和可靠性。
最大重复峰值反向电压：35V
最大平均正向电流：8A
正向压降（@8A）：0.45V至0.55V（典型值）
峰值浪涌电流（@8.3ms）：125A
工作温度范围：-55℃至+175℃
存储温度范围：-65℃至+175℃
热阻（RθJC）：2.5°C/W（典型值）
MBR8035的主要特性在于其低正向电压降，这显著降低了功率损耗，提高了电源转换效率。该器件的快速恢复时间可忽略不计，适用于高频开关应用，避免了因反向恢复电流导致的额外损耗。MBR8035具有较高的浪涌电流承受能力，可在短时间内承受较大的电流冲击，增强了系统的稳定性和可靠性。
此外，MBR8035的封装设计具有良好的散热能力，能够有效散发工作时产生的热量，延长器件寿命。其双二极管结构允许用于双路整流或桥式整流电路中，提高了设计的灵活性。该器件符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子设备的设计要求。
MBR8035广泛应用于各类电源管理系统中，如AC/DC电源适配器、DC/DC转换器、负载开关、电池充电器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及工业自动化设备中的功率整流电路。
此外，MBR8035也常用于通信设备、服务器电源、电动工具、电动车控制器等对效率和可靠性要求较高的电子系统中。由于其低正向压降和良好的热稳定性，特别适合用于高效率、高功率密度的电源设计中。
MBR8045CT, SR8R35-10, STPS8H100, MBR8060
