时间：2025/7/11 23:20:27
阅读：4
SH21B333K250CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等高效率电力电子设备中。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，从而实现高效能和高可靠性。
型号：SH21B333K250CT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：25A
导通电阻(Rds(on))：0.09Ω（在 Vgs=10V 时）
功耗(Ptot)：475W
结温范围(Tj)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
SH21B333K250CT 的主要特性包括：
1. 高击穿电压（650V），使其适合高压应用场景。
2. 低导通电阻（0.09Ω），能够有效降低导通损耗并提升系统效率。
3. 快速开关能力，支持高频工作环境，有助于减少磁性元件体积。
4. 强大的散热性能，配合 TO-247 封装可确保长时间稳定运行。
5. 支持高达 25A 的连续漏极电流，适用于大电流应用场合。
6. 广泛的工作温度范围（-55℃ to +175℃），适应各种极端条件下的使用需求。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，用于提高转换效率和稳定性。
2. DC-DC 转换器，在汽车电子和工业自动化中有广泛应用。
3. 电机驱动，尤其在需要高电压和大电流的场景中表现优异。
4. 逆变器及 UPS 系统，提供可靠性和高效率。
5. 各种工业控制和家电中的功率管理模块。
STP25NK60Z,
IRF840,
FDP15U65A,
IXTH25N65L2
