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MBR7545 发布时间 时间:2025/9/3 15:39:41 查看 阅读:8

MBR7545是一款由ON Semiconductor生产的高电压、高电流肖特基整流器,适用于需要高效率和快速开关性能的电源应用。该器件采用先进的肖特基势垒技术,具有较低的正向电压降和极短的反向恢复时间,使其在高频开关电源中表现出色。MBR7545的封装形式为TO-220,适合用于散热要求较高的场合。

参数

最大重复峰值反向电压(VRRM):45V
  最大平均整流电流(IF(AV)):75A
  正向压降(VF):约0.53V(典型值,IF=75A时)
  峰值浪涌电流(IFSM):600A(最大值)
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  存储温度范围:-55°C至+175°C
  封装形式:TO-220
  安装类型:通孔

特性

MBR7545具有多项显著的性能优势,首先,其低正向压降特性可以显著降低导通损耗,提高电源转换效率。其次,该器件具备极低的反向漏电流,确保在高温工作环境下仍能保持良好的稳定性。MBR7545还具有快速开关特性,几乎没有反向恢复时间,适用于高频整流应用。此外,其高浪涌电流承受能力使其能够应对电源启动或负载突变时的瞬态电流冲击,提高系统的可靠性和稳定性。TO-220封装形式不仅具备良好的散热性能,还能在恶劣环境下保持稳定的机械结构。

应用

MBR7545广泛应用于各类高功率电源系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、逆变器、电机驱动系统以及电池充电器等。此外,它也常用于工业自动化设备、通信电源、服务器电源以及新能源设备(如太阳能逆变器和风能转换系统)中,作为高效整流元件使用。

替代型号

MBR7545可替代型号包括MBR7545CT、MBR7545TPBF、MBR7545G等,具体选型需根据电路设计和散热要求进行匹配。

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MBR7545参数

  • 制造商GeneSiC Semiconductor
  • 产品Schottky Diodes
  • 峰值反向电压45 V
  • 正向连续电流75 A
  • 最大浪涌电流1000 A
  • 正向电压下降0.75 V
  • 最大反向漏泄电流1 uA
  • 工作温度范围- 65 C to + 150 C
  • 安装风格Stud
  • 封装 / 箱体DO-5
  • 工厂包装数量5