类型：双肖特基势垒二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　平均整流电流（IO）：3.0A（每芯片）
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A（8.3ms半正弦波）
　　最大正向电压（VF）：0.54V @ 1.5A, 0.86V @ 3.0A（典型值，随温度变化）
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 25°C, 15mA @ 125°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值＜10ns（实际接近零）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-277（SMAFL）、DPAK（TO-252）等表面贴装
　　热阻（RθJA）：约60°C/W（依PCB布局而定）
　　引脚数：3（共阴极配置常见）

MBR730的核心特性之一是其低正向导通电压，这直接提升了电源系统的转换效率。在3.0A的工作电流下，其正向压降通常低于0.9V，相比传统硅PN结二极管（约1.0–1.2V）显著降低了导通损耗。这一特性在低电压输出（如5V、3.3V或更低）的开关电源中尤为重要，因为输出电压越低，二极管压降在整个功率损耗中所占比例越大。通过减少VF带来的I2R损耗，MBR730有助于实现更高的能效等级，满足现代电子产品对节能和散热优化的需求。此外，低VF还意味着更少的热量产生，从而减轻了对散热器或大面积铜箔的依赖，有利于小型化设计。
　　另一个关键特性是其快速开关能力。由于肖特基二极管基于金属-半导体结而非P-N结，不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间极短，几乎可以忽略不计。这意味着在高频开关电路中，MBR730不会产生明显的反向恢复电流尖峰，从而减少了电磁干扰（EMI）和开关节点的电压振荡，提高了系统的电磁兼容性和稳定性。这一特性使其非常适合用于高频DC-DC变换器、同步整流替代方案以及PWM控制的电机驱动电路中。
　　MBR730采用双二极管结构，允许在双路输出电源或全波整流拓扑中使用单一器件，简化了PCB布局并节省了空间。其表面贴装封装支持自动化焊接工艺，适用于大规模生产。同时，器件具备良好的热性能，在合理设计的PCB散热条件下可稳定承载额定电流。然而，用户需注意其相对较低的反向耐压（30V），在存在电压瞬变或感应反电动势的应用中应采取钳位保护措施。此外，高温下的漏电流增加是肖特基二极管的共性，设计时应评估高温工况下的功耗与温升平衡。

MBR730广泛应用于各类需要高效、紧凑型整流解决方案的电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，它常被用作次级侧整流二极管，特别是在低压大电流输出的AC-DC适配器和DC-DC模块电源中。由于其低VF和快速响应特性，能够在高频率下保持高效率，适用于笔记本电脑电源、路由器、机顶盒等消费类电子产品中的电源管理单元。在同步整流技术尚未普及或成本受限的设计中，MBR730是一种经济高效的替代方案。
　　在DC-DC降压（Buck）和升压（Boost）转换器中，MBR730通常作为续流二极管使用，连接在开关管与地之间，为电感电流提供回路。其快速关断能力有效抑制了反向恢复引起的能量损耗和噪声，提升了转换器的整体效率和动态响应性能。此类应用常见于FPGA、ASIC、微处理器供电的多相VRM（电压调节模块）设计中。
　　此外，MBR730也适用于电池充电与保护电路、太阳能充电控制器、LED驱动电源以及逆变器中的防反接与续流功能。在电机驱动和继电器控制电路中，它可用于吸收感性负载断开时产生的反电动势，起到保护开关器件的作用。工业自动化设备、通信基站电源、便携式医疗设备等对可靠性和效率要求较高的领域也是其典型应用场景。得益于其表面贴装封装，MBR730特别适合空间受限的高密度PCB设计，如手持设备和嵌入式系统。

SS330