BUK7M20-40HX是一款由Nexperia(原飞利浦半导体业务)制造的高性能N沟道增强型MOSFET,采用TISON(Small Outline Flat Lead)封装技术。该器件设计用于需要高效能和高可靠性的应用,例如电源管理和负载开关电路。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热性能,能够在高温环境下稳定运行。
类型:N沟道
最大漏极电流(ID):20A
最大漏源电压(VDS):40V
导通电阻(RDS(on)):最大值2.7mΩ @ VGS=10V
栅极电压(VGS):±20V
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TISON
安装类型:表面贴装
引脚数:8
BUK7M20-40HX的特性包括低导通电阻,有助于减少导通损耗并提高能效;高耐压能力使其适用于各种高功率需求的应用;TISON封装提供了良好的散热性能,同时减少了PCB空间占用。此外,该器件具备优异的热稳定性,可在高温环境下长期运行而不会发生性能衰减。其8引脚封装设计还优化了电流分配和电气性能,增强了系统的整体可靠性。
BUK7M20-40HX广泛应用于工业自动化、电源管理系统、电池供电设备、电动工具以及汽车电子系统等领域。具体应用包括直流-直流转换器、电机控制、负载开关、电源管理模块以及高电流负载驱动电路。
IPD120N4L03ATMA1, SQ40N10FY, IRLR2905