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BUK7M20-40HX 发布时间 时间:2025/9/14 1:16:05 查看 阅读:4

BUK7M20-40HX是一款由Nexperia(原飞利浦半导体业务)制造的高性能N沟道增强型MOSFET,采用TISON(Small Outline Flat Lead)封装技术。该器件设计用于需要高效能和高可靠性的应用,例如电源管理和负载开关电路。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热性能,能够在高温环境下稳定运行。

参数

类型:N沟道
  最大漏极电流(ID):20A
  最大漏源电压(VDS):40V
  导通电阻(RDS(on)):最大值2.7mΩ @ VGS=10V
  栅极电压(VGS):±20V
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TISON
  安装类型:表面贴装
  引脚数:8

特性

BUK7M20-40HX的特性包括低导通电阻,有助于减少导通损耗并提高能效;高耐压能力使其适用于各种高功率需求的应用;TISON封装提供了良好的散热性能,同时减少了PCB空间占用。此外,该器件具备优异的热稳定性,可在高温环境下长期运行而不会发生性能衰减。其8引脚封装设计还优化了电流分配和电气性能,增强了系统的整体可靠性。

应用

BUK7M20-40HX广泛应用于工业自动化、电源管理系统、电池供电设备、电动工具以及汽车电子系统等领域。具体应用包括直流-直流转换器、电机控制、负载开关、电源管理模块以及高电流负载驱动电路。

替代型号

IPD120N4L03ATMA1, SQ40N10FY, IRLR2905

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BUK7M20-40HX参数

  • 现有数量3,000现货
  • 价格1 : ¥6.12000剪切带(CT)1,500 : ¥2.61371卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)25A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)20 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.6V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)10.2 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)+20V,-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)598 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)38W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装LFPAK33
  • 封装/外壳SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)