时间：2025/9/3 2:47:17
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MBR6060R是一款由ON Semiconductor生产的600V、6A的碳化硅（SiC）肖特基二极管。该器件采用先进的SiC技术，具有极低的正向压降和快速的开关特性，适用于高效率、高频率的电源转换系统。MBR6060R具备高浪涌电流能力和优异的热稳定性，适合在高温环境下运行。
类型：碳化硅肖特基二极管
最大重复峰值反向电压（VRRM）：600 V
最大正向平均电流（IF(AV)）：6 A
最大正向压降（VF）：1.55 V（典型值）
最大反向漏电流（IR）：100 μA（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220
安装方式：通孔安装
MBR6060R具有多项显著的性能优势。首先，其碳化硅材料和肖特基结构使其具备极低的正向压降（通常为1.55V），从而减少了导通损耗，提高了能效。其次，该器件具有零反向恢复电流，显著降低了开关损耗，非常适合高频应用。此外，MBR6060R拥有优异的热稳定性，能够在高达175°C的温度下稳定工作，增强了系统在高温环境下的可靠性。
该器件还具备较高的浪涌电流承受能力，能够应对突发的电流冲击，提升系统的稳定性和耐用性。MBR6060R采用TO-220封装，便于散热和安装，适用于多种电源拓扑结构，如升压（Boost）、降压（Buck）和PFC（功率因数校正）电路。其出色的动态性能和高可靠性使其成为高功率密度电源设计的理想选择。
MBR6060R广泛应用于各种高效率电源系统中，包括工业电源、服务器电源、通信设备电源、太阳能逆变器和电动汽车充电器等。在PFC（功率因数校正）电路中，该器件能够有效减少导通和开关损耗，提高整体能效。此外，MBR6060R也适用于高频率DC-DC转换器，有助于缩小磁性元件体积，提高电源系统的功率密度。
MBR6060RC, MBR6060T, MBR6060CT
