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MBR30200FCT_T0_00001 发布时间 时间:2025/8/15 1:35:41 查看 阅读:73

MBR30200FCT-T0-00001 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的功率肖特基整流器。该器件采用先进的平面肖特基势垒技术,具有高电流容量和低正向压降的特性,适用于需要高效能和高可靠性的电源转换应用。MBR30200FCT-T0-00001 采用 TO-220-3 封装形式,适用于各种工业、通信和消费类电子设备中的整流电路。

参数

类型:肖特基整流器
  最大正向电流(IF):30A
  最大反向电压(VR):200V
  正向电压降(VF):0.55V(典型值)
  反向漏电流(IR):10mA(最大值)
  工作温度范围:-65°C ~ +175°C
  封装形式:TO-220-3
  安装类型:通孔

特性

MBR30200FCT-T0-00001 的主要特性之一是其低正向压降,这有助于降低导通损耗并提高整体系统的效率。该器件的正向压降在额定电流下仅为 0.55V 左右,远低于传统的硅整流器。此外,MBR30200FCT-T0-00001 具有高浪涌电流能力,能够在短时间内承受较大的瞬态电流冲击,从而提高系统的可靠性和稳定性。
  该肖特基二极管还具有优异的热性能,TO-220 封装能够有效地将热量传导至外部散热器,确保器件在高负载条件下依然能够稳定工作。其宽泛的工作温度范围(-65°C 至 +175°C)使其适用于各种恶劣的工业环境。
  MBR30200FCT-T0-00001 的快速恢复特性使其非常适合用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。由于肖特基二极管没有反向恢复时间,因此在高频应用中可以显著减少开关损耗,提高系统的响应速度和效率。此外,该器件的反向漏电流控制良好,在高温环境下仍能保持较低的漏电流水平,从而确保系统的稳定性和长期可靠性。
  该器件还具有良好的焊接性能和机械稳定性,适合用于自动化装配生产线。TO-220 封装结构坚固,能够承受一定的机械应力,确保在运输和安装过程中不易损坏。

应用

MBR30200FCT-T0-00001 主要用于电源转换和整流电路中,广泛应用于工业电源、开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、UPS(不间断电源)、电池充电器、逆变器以及各种高效率电源管理系统中。由于其低正向压降和高电流能力,该器件特别适用于需要高效率和高可靠性的电源应用。
  在通信设备中,MBR30200FCT-T0-00001 常用于电信整流器和服务器电源模块中,确保稳定的直流输出并提高系统能效。在太阳能逆变器和电动车充电系统中,该器件也可作为主整流器使用,提供高效的能量转换能力。
  此外,该肖特基二极管还可用于自由轮放电电路(freewheeling diodes)中,保护功率开关器件(如 MOSFET 和 IGBT)免受反电动势的损害。在高频感应加热、电机驱动和焊接设备中,MBR30200FCT-T0-00001 也具有广泛的应用前景。

替代型号

MBR30200FCT, MBR30200FCT-G, MBR30200FCT-T1, MBR30200FCT-00001

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MBR30200FCT_T0_00001参数

  • 现有数量5,980现货
  • 价格1 : ¥10.65000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)15A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900 mV @ 15 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏50 μA @ 200 V
  • 工作温度 - 结-65°C ~ 175°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装ITO-220AB