时间：2025/10/31 17:14:53
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MBR2150VRTR-G1是一款由ON Semiconductor生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用双二极管共阴极配置，专为高效率、高频率的整流应用而设计。该器件具有低正向电压降和快速反向恢复特性，能够显著降低开关损耗，提高电源转换效率。其表面贴装SMPA（也称SMPC）封装形式使得它非常适合于空间受限的应用场合，并且具备良好的散热性能以支持较高电流负载。MBR2150VRTR-G1广泛应用于DC-DC转换器、续流与箝位电路、反向极性保护以及AC-DC整流等电力电子系统中。由于采用了先进的平面工艺技术，该器件还表现出优异的热稳定性和长期可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于工业控制、消费类电源适配器、笔记本电脑电源模块及电信设备等多种场景。此外，该产品符合RoHS环保要求，无铅且绿色环保，适合现代电子产品对环境友好型元器件的需求。
类型：肖特基二极管阵列
配置：双共阴极
最大重复反向电压（VRRM）：150V
最大平均正向整流电流（IF(AV)）：2x1.5A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A
最大正向电压（VF）：840mV @ 1.5A, 150°C
最大反向漏电流（IR）：400μA @ 150V, 125°C
反向恢复时间（trr）：典型值为纳秒级（肖特基二极管无少子存储效应）
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
封装类型：SMPA (SMPC)
安装类型：表面贴装（SMD）
MBR2150VRTR-G1的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构利用金属-半导体接触形成整流结，避免了传统PN结中载流子存储的问题，从而实现了极快的开关速度和几乎可以忽略不计的反向恢复时间（trr）。这一特性使其在高频开关电源环境中表现尤为出色，能有效减少因二极管反向恢复引起的开关尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统整体效率与稳定性。同时，该器件在高温条件下的正向压降控制得非常优秀，在1.5A电流下仅为840mV左右，意味着导通损耗较低，有助于降低温升并提高能效。得益于其高达175°C的最大结温能力，MBR2150VRTR-G1可在恶劣热环境下可靠运行，增强了系统的鲁棒性。
该器件的双共阴极拓扑结构特别适用于中心抽头式同步整流或全波整流电路，常见于低压大电流输出的DC-DC变换器中。SMPA封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且引脚设计优化了热传导路径，使热量能更有效地从芯片传递至PCB焊盘，提升了功率密度和长期工作的可靠性。此外，该器件通过AEC-Q101认证的可能性较高，表明其具备汽车级品质，可用于车载充电系统或车身电子模块等严苛应用场景。制造过程中采用的先进光刻和平面工艺确保了批次间的一致性和低缺陷率，提高了生产良率和终端产品的质量稳定性。总体而言，MBR2150VRTR-G1是一款兼顾高性能、小型化与高可靠性的现代功率二极管解决方案，适用于追求高效节能和紧凑设计的电源系统。
该器件主要应用于各类中低电压、中等电流的高效率电源转换系统中。典型用途包括：在隔离型或非隔离型DC-DC降压/升压转换器中作为次级侧整流元件，替代传统的快恢复二极管以提升转换效率；在反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑的AC-DC适配器中用于输出整流，尤其适合便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的充电器设计；在服务器电源、通信基站电源模块中承担续流与箝位功能，抑制电感断续时产生的反向电动势；还可用于电池管理系统中的防反接保护电路，防止电源极性接反导致后级电路损坏。由于其快速响应特性和低漏电流表现，也适用于高频PWM调制环境下的能量回馈回路。此外，在太阳能微型逆变器、LED驱动电源以及工业PLC供电单元中也能发挥良好性能。得益于其表面贴装封装和小尺寸特性，非常适合自动化贴片生产线，满足大批量制造需求。对于需要在有限空间内实现高功率密度的设计来说，MBR2150VRTR-G1是一个理想选择。其宽泛的工作温度范围也使其适用于户外设备或高温工业环境中的电源模块。
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"MBR2150VT3G",
"VS2L150-M3-18",
"DMK2150V2R2U",
"SB2150CT",
"MBRS2150CTLG"
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