时间：2025/8/14 23:15:50
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MBR2050DC 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的肖特基势垒整流器（Schottky Barrier Rectifier），具有高效率和低正向压降的特点。该器件主要用于需要高效能整流功能的电源系统中，适用于高频率开关电源、DC/DC 转换器和续流二极管等应用。MBR2050DC 采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的热性能和可靠性。
最大重复峰值反向电压：50V
最大正向平均电流：20A
正向压降：0.53V（典型值，最大 0.65V）
峰值浪涌电流：100A
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
MBR2050DC 的主要特性之一是其低正向压降，这有助于减少功率损耗并提高电源转换效率。在典型的 20A 工作电流下，其正向压降仅为 0.53V，最大值为 0.65V，远低于普通硅二极管的压降。此外，该器件具有高浪涌电流承受能力，可承受高达 100A 的瞬时电流，使其在负载突变或启动过程中表现出色。
该肖特基二极管采用了先进的封装技术，TO-252（DPAK）封装不仅提供了良好的热管理，还支持表面贴装（SMT）工艺，便于在现代电路板上使用。此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）确保了在各种环境条件下的稳定运行。
MBR2050DC 的另一个显著特性是其快速的开关性能，由于肖特基二极管的结构特点，它没有普通 PN 结二极管的反向恢复时间（trr），从而适用于高频开关应用。这使其成为高效率开关电源、DC/DC 转换器和电池充电器中的理想选择。
MBR2050DC 广泛应用于各种电源管理系统中，包括开关电源（SMPS）、DC/DC 转换器、电池充电器和不间断电源（UPS）系统。其低正向压降和高电流能力使其非常适合用于高效率电源转换电路，以减少能量损耗并提高整体系统效率。
此外，该器件也常用于电信设备、服务器电源、工业控制系统以及汽车电子系统中的电源部分。由于其高浪涌电流承受能力，它也适用于负载变化较大的应用，例如电机驱动器和电感负载电路中的续流二极管。
在便携式设备中，MBR2050DC 可用于提高电池供电系统的能量利用效率，延长设备的运行时间。其紧凑的 TO-252 封装也使其适用于空间受限的电路设计。
MBR2050CTL、SB2050、MBR2050CT、SR2050
