时间：2025/12/26 9:11:19
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MBR2045CTP是一款由ON Semiconductor生产的高电流、低压降的双肖特基势垒整流器，专为高效率电源转换应用而设计。该器件采用TO-220AC封装，具有低正向电压降和高浪涌电流能力，使其非常适合用于开关模式电源（SMPS）、逆变器、续流二极管以及极性保护等电路中。MBR2045CTP集成了两个独立的肖特基二极管，连接方式为共阴极结构，这种配置在全波整流或双路输出电源中非常有用。由于其优异的热性能和高可靠性，该器件能够在高温环境下稳定运行，广泛应用于工业控制、通信设备和消费类电子产品中。
肖特基二极管因其金属-半导体结的特性，相比传统的PN结二极管具有更低的导通压降和更快的开关速度，从而显著降低功率损耗并提高系统效率。MBR2045CTP的额定平均整流电流可达20A，反向重复峰值电压为45V，适用于低电压大电流输出的DC-DC转换场景。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适合现代绿色电子制造的需求。数据手册中还强调了其出色的抗热冲击能力和长期稳定性，确保在恶劣工作条件下仍能维持可靠性能。
型号：MBR2045CTP
制造商：ON Semiconductor
封装/外壳：TO-220AC
二极管配置：双共阴极
最大重复反向电压 (VRRM)：45V
最大直流阻断电压 (VR)：45V
最大平均整流电流 (IF(AV))：20A
峰值正向浪涌电流 (IFSM)：180A
最大正向电压降 (VF)：0.54V @ 10A, 125°C
最大反向漏电流 (IR)：0.5mA @ 45V, 125°C
工作结温范围 (TJ)：-65°C 至 +175°C
热阻抗 (RθJC)：1.2°C/W
安装类型：通孔
MBR2045CTP的核心优势在于其低正向电压降与高电流承载能力的结合，这使得它在大功率低电压电源系统中表现出卓越的能量转换效率。其典型正向压降仅为0.54V，在10A电流下功耗远低于传统硅二极管，有效减少了发热问题，提升了整体系统的能效比。同时，得益于肖特基结构的快速恢复特性，该器件几乎没有反向恢复时间（trr），避免了开关过程中因电荷存储效应引起的能量损耗和电磁干扰，特别适合高频开关电源应用。
该器件采用双共阴极配置，允许在全波整流拓扑或双通道电源中灵活使用，简化了PCB布局并节省空间。TO-220AC封装提供了良好的散热性能，配合合适的散热片可实现高效的热管理，确保长时间高负载运行下的稳定性。器件的工作结温范围宽达-65°C至+175°C，适应极端环境条件，增强了系统在工业和汽车应用中的鲁棒性。
MBR2045CTP还具备高浪涌电流承受能力（可达180A），能够抵御启动瞬间或异常情况下的电流冲击，提高了电源系统的可靠性和寿命。此外，其反向漏电流在高温下仍保持较低水平（0.5mA @ 45V, 125°C），保证了在高温工作状态下的良好阻断性能。整个器件符合AEC-Q101汽车级可靠性认证，适用于对质量和耐久性要求较高的应用场景。综合来看，MBR2045CTP是一款高性能、高可靠性的功率肖特基整流器，适用于追求高效节能和紧凑设计的现代电子系统。
MBR2045CTP广泛应用于各类需要高效整流和低损耗功率转换的电子设备中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流级，特别是在12V或5V大电流输出的AC-DC和DC-DC转换器中表现优异。由于其低VF特性，常被用于同步整流替代方案无法实施的场合，以最大限度减少传导损耗。
在服务器电源、电信整流模块、UPS不间断电源及工业电源系统中，该器件用于次级侧整流，提升整体效率并降低冷却需求。此外，在太阳能逆变器和电池充电管理系统中，MBR2045CTP作为防反接和续流二极管使用，防止电流倒灌造成损坏，并在电感释放能量时提供低阻通路。
其高浪涌能力和温度稳定性也使其适用于电机驱动电路中的钳位和保护功能，吸收感性负载产生的反电动势。在汽车电子领域，尽管主要面向工业应用，但在非车载但环境严苛的辅助电源单元中也有部署。消费类电子产品如高端台式机电源、LED驱动电源和大功率适配器同样采用此类高电流肖特基器件来满足日益增长的能效标准。总之，凡涉及低电压、大电流、高频率整流需求的应用场景，MBR2045CTP都是一个理想选择。
STPS2045CG
MBR2045CT
MBR20H45CTG
VS-20CTQ045-M3
IRF2045CTP
