时间：2025/12/26 10:44:20
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MBR20200CT-E1是一款由ON Semiconductor生产的双肖特基势垒二极管，专为高效率、高电流密度的应用设计。该器件采用TO-220AB封装，内部集成了两个独立的20A额定电流的肖特基二极管，共阴极连接方式，适用于需要低正向压降和快速开关特性的电源系统。MBR20200CT-E1的反向耐压为200V，使其适用于多种中等电压直流输出场合，如开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及续流或箝位电路。得益于肖特基二极管的金属-半导体结结构，该器件在导通时表现出较低的正向电压降（典型值约为0.58V至0.64V），从而显著降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，由于其无少数载流子存储效应，具备极快的反向恢复速度，几乎不存在反向恢复电荷（Qrr），因此在高频工作条件下仍能保持优异的性能表现。该器件符合RoHS标准，并具有可靠的热稳定性，可在较宽的工作温度范围内稳定运行，是替代传统快恢复二极管的理想选择。
类型：双肖特基二极管
配置：共阴极
最大重复反向电压（VRRM）：200V
平均整流电流（IO）：20A（每芯片）
峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（单个半正弦波，8.3ms）
正向压降（VF）：典型0.58V，最大0.64V（在20A, 125°C）
反向漏电流（IR）：≤ 2.0mA（在175V, 125°C）
反向恢复时间（trr）：≈ 0ns（无尾电流）
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
封装形式：TO-220AB
安装方式：通孔（Through-Hole）
MBR20200CT-E1的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种技术通过金属与N型半导体之间的势垒形成整流作用，避免了PN结中存在的少数载流子注入与复合过程，因而从根本上消除了反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复时间（trr）。这一特性使得该器件在高频开关应用中表现出色，能够大幅减少开关损耗并抑制电磁干扰（EMI）的产生，提升系统的电磁兼容性。同时，由于没有尾电流现象，在硬开关拓扑如正激、反激、推挽等电路中可有效防止交叉导通问题，增强系统可靠性。
该器件具有非常低的正向导通压降，在20A电流下典型值仅为0.58V左右，即使在高温环境下也保持良好的导通性能，这直接降低了功率损耗和温升，有助于简化散热设计，减小散热器尺寸甚至实现无风扇冷却。此外，MBR20200CT-E1具备高达175°C的最大结温，说明其拥有出色的热鲁棒性，适合在恶劣环境或密闭空间内长期运行。
TO-220AB封装提供了良好的机械强度和热传导能力，底部绝缘垫片配合螺钉固定可用于连接散热器，确保热量高效传递至外部环境。器件还具备较强的浪涌电流承受能力，150A的峰值非重复浪涌电流能力使其能够在瞬态过载或启动冲击下保持安全运行。总体而言，MBR20200CT-E1以其高效率、高可靠性和优异的热管理能力，广泛应用于工业电源、电信设备、服务器电源模块及新能源系统等领域。
MBR20200CT-E1主要应用于各类高效率开关电源系统中，特别是在需要低导通损耗和快速响应的直流输出整流环节。典型应用场景包括AC-DC开关电源中的次级侧同步整流替代方案（尽管本身不是MOSFET，但在非同步拓扑中仍具优势）、DC-DC降压或升压转换器的续流二极管、隔离式拓扑如正激、反激和全桥变换器的输出整流部分。由于其双二极管共阴极结构，非常适合用于双路输出或中心抽头变压器的全波整流配置，例如在通信电源模块中实现+12V和-12V双电源供电系统。
在太阳能逆变器和UPS不间断电源系统中，MBR20200CT-E1常被用作防反接或能量回馈路径中的阻断二极管，防止电池反向放电或电网反馈电流倒灌。同时，它也可作为感性负载（如电机、继电器线圈）驱动电路中的续流（飞轮）二极管，保护主开关器件免受反电动势击穿。
此外，在电动汽车车载充电机（OBC）、充电桩辅助电源、LED驱动电源等对效率和可靠性要求较高的领域，该器件凭借其低VF和零反向恢复特性，有助于满足严苛的能效标准（如80 PLUS认证）。工业自动化控制系统、医疗设备电源以及高端消费类电子产品中的大电流适配器也是其常见应用平台。
STPS20H200CT
VS-20CTQ045-M3
MBR20200FCT
