型号：MBR20150SCTF-G1
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　器件类型：双肖特基势垒整流二极管（共阴极）
　　最大重复反向电压 VRRM：150V
　　最大直流阻断电压 VR：150V
　　最大平均整流电流 IF(AV)：20A（每芯片）
　　峰值正向浪涌电流 IFSM：180A（半正弦波，60Hz）
　　正向压降 VF：典型值0.89V，最大值1.05V（在TA=25°C，IF=20A条件下）
　　反向漏电流 IR：最大值400μA（在VR=150V，TA=25°C）；高温下可达5.0mA（在TJ=125°C）
　　工作结温范围 TJ：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围 TSTG：-65°C 至 +150°C
　　封装/包装：TO-277D（DPAK）表面贴装
　　热阻 RθJA：约3.0°C/W（典型值，依赖PCB布局）
　　热阻 RθJC：约1.0°C/W（典型值）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3
　　极性配置：双共阴极（Common Cathode）
　　符合标准：RoHS、无卤素（Halogen-free）

MBR20150SCTF-G1的核心优势在于其采用先进的平面工艺制造的肖特基势垒结构，实现了极低的正向导通压降与快速开关响应特性。该器件在20A大电流下仍能维持低于1.05V的正向压降，显著减少了功率损耗，提高了电源系统的整体能效。这种低VF特性对于电池供电设备或需要高效能量转换的应用尤为重要。此外，由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此具备极快的反向恢复速度（trr < 10ns），几乎无反向恢复电荷（Qrr），避免了传统PN结二极管在高频开关过程中产生的开关尖峰和电磁干扰问题，从而提升了系统稳定性与EMI性能。
　　该器件采用TO-277D封装，具有优异的热传导能力，通过底部散热焊盘可将热量高效传递至PCB上的铜层，实现良好的热管理。即使在高环境温度下运行，也能有效控制结温上升，确保长期可靠性。其双共阴极结构允许两个二极管共享同一个阴极连接，非常适合同步整流拓扑、中心抽头变压器全波整流或双路输出电源设计。这种集成化设计不仅节省了PCB空间，还简化了布线复杂度，降低了寄生电感的影响。
　　MBR20150SCTF-G1的工作结温范围宽达-65°C至+150°C，使其能够在极端温度环境中稳定工作，适用于工业自动化、电信基础设施、车载电子等多种严苛应用场景。器件经过严格的老化测试和可靠性验证，具备高抗浪涌能力和良好的长期稳定性。其表面贴装封装支持自动化回流焊工艺，适合大规模生产。同时，产品符合RoHS指令和无卤素要求，满足全球环保法规，适用于绿色电子产品设计。

MBR20150SCTF-G1广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适用于对效率、尺寸和热性能有较高要求的设计场景。典型应用包括DC-DC升压/降压转换器中的输出整流二极管，在这些电路中，其低正向压降直接转化为更高的转换效率，减少散热需求。在服务器电源、网络通信设备电源模块以及工业电源单元中，该器件常被用作次级侧整流元件，配合PWM控制器实现高效能量传输。
　　在基于中心抽头变压器的全波整流拓扑中，MBR20150SCTF-G1的双共阴极结构能够简化电路设计，仅需单个器件即可完成两路整流功能，替代两个分立二极管，提升功率密度。它也常用于反激式（Flyback）和正激式（Forward）转换器中的续流或箝位二极管，以抑制漏感引起的电压尖峰，保护主开关管（如MOSFET）。在太阳能微逆变器、LED驱动电源和UPS不间断电源系统中，该器件凭借其高可靠性与快速响应能力，保障系统在动态负载变化下的稳定运行。
　　此外，MBR20150SCTF-G1还可用于电机驱动电路中的自由轮续流路径，防止感性负载断电时产生高压反电动势损坏控制芯片。在汽车电子辅助电源系统（非直接车载动力系统）中，也可用于12V/24V DC-DC变换器，提供稳定的低压供电。其表面贴装特性使其特别适合使用自动化贴片机进行大批量组装，广泛服务于消费类电子、工业控制、电信基站电源等领域。

MBR20150CTF-G1
　　STPS20L150CG
　　SS215-13-F
　　B340LB-100