时间：2025/12/26 12:27:54
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MBR20150SCTF-E1是一款由安森美（onsemi）生产的20A、150V表面贴装肖特基势垒整流器，采用TO-277D封装。该器件专为高效率电源转换应用设计，具有低正向压降和快速开关特性，可有效减少功率损耗并提高系统整体能效。作为一款双共阴极结构的肖特基二极管，MBR20150SCTF-E1适用于需要大电流处理能力且空间受限的高密度电路设计场景。其先进的制造工艺确保了优异的热稳定性和长期可靠性，广泛应用于服务器电源、电信设备、工业控制系统以及DC-DC转换器等高端电子系统中。该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素设计，满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。此外，TO-277D封装形式支持自动化贴片生产，有利于提升制造效率并降低组装成本。由于其出色的电气性能与紧凑的封装尺寸，MBR20150SCTF-E1成为替代传统通孔整流器的理想选择，在追求小型化与高效化的现代电源架构中发挥着关键作用。
产品类型：肖特基二极管
配置：双共阴极
最大平均整流电流：20A
峰值重复反向电压：150V
最大正向压降：940mV @ 10A, 25°C
最大反向漏电流：1.0mA @ 125°C
工作结温范围：-65°C 至 +175°C
封装/外壳：TO-277D
安装类型：表面贴装（SMD）
引脚数：3
热阻：1.2°C/W（结至壳）
最大瞬态峰值反向电压：150V
最大RMS电压：95V
MBR20150SCTF-E1的核心优势在于其卓越的低正向压降特性，这直接提升了电源系统的转换效率并减少了热耗散需求。在10A电流条件下，典型正向压降仅为880mV，最大值为940mV，显著低于传统硅整流二极管，从而大幅降低了导通损耗，尤其适合高频开关电源应用。该器件采用先进的平面肖特基技术，实现了稳定的电场分布和优化的载流子迁移路径，确保在高温环境下仍能维持较低的漏电流水平。其双共阴极结构允许两个独立的肖特基二极管共享同一散热路径，提高了功率密度的同时简化了PCB布局设计。
该器件的工作结温高达+175°C，展现出优异的热稳定性与耐久性，能够在严苛的工业或通信环境中长期可靠运行。TO-277D封装具备良好的热传导性能，通过底部散热焊盘可将热量高效传递至PCB，进一步增强散热能力。此外，该封装体积小巧，节省电路板空间，非常适合高密度组装需求。器件还具备快速反向恢复特性，几乎无反向恢复电荷，避免了因反向恢复引起的开关尖峰和电磁干扰问题，有助于提升系统EMI性能。
MBR20150SCTF-E1经过严格的质量控制流程制造，符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，尽管主要面向工业和通信市场，但其坚固的设计也使其适用于部分车载电源系统。所有材料均符合RoHS指令要求，并采用无卤素设计，符合全球环保趋势。器件支持回流焊工艺，兼容主流SMT生产线，便于大规模自动化生产。其高浪涌电流承受能力也增强了在电源启动或负载突变情况下的鲁棒性，提升了系统安全性。
MBR20150SCTF-E1广泛应用于各类高性能电源系统中，特别是在需要高效、紧凑设计的场合表现突出。典型应用包括服务器和数据中心的多相VRM（电压调节模块），用于同步整流以提高DC-DC转换效率；在通信基站和路由器的AC-DC及DC-DC电源中，作为输出整流元件，帮助实现高功率密度和低能耗目标；在工业电源、UPS不间断电源以及太阳能逆变器中，该器件凭借其高电流能力和优良热性能，能够稳定运行于长时间满负荷工况下。
此外，该器件也适用于笔记本电脑适配器、高端消费类电子产品电源模块以及LED驱动电源等对效率和空间有严格要求的应用场景。在同步整流拓扑结构中，MBR20150SCTF-E1常与控制器配合使用，替代传统的MOSFET续流路径，简化设计并降低成本。其快速响应特性和低噪声行为也有助于改善电源输出纹波和动态响应性能。对于需要冗余供电或多路并联输出的设计，双共阴极结构提供了灵活的电路配置选项，支持多种并联和均流方案。随着绿色能源和节能技术的发展，该器件在新能源汽车充电模块、储能系统电源管理单元中的应用潜力也在不断拓展。
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"STPS20H150CG",
"VS-20CPQ150",
"MBR20H150CTF"
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