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MBR20150CL 发布时间 时间:2025/12/27 7:15:02 查看 阅读:18

MBR20150CL是一款由ON Semiconductor生产的肖特基势垒二极管,采用中心抽头配置,适用于高效率、高密度的电源转换应用。该器件具有20A的平均整流电流能力,反向重复电压可达150V,使其非常适合用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器以及低压大电流输出的整流电路中。MBR20150CL采用了先进的平面技术制造,确保了低正向压降和高可靠性。其封装形式为TO-220AC,具备良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作。由于其低损耗特性,该器件在提高系统整体效率方面表现出色,广泛应用于工业控制、通信设备和消费类电子产品中的次级侧整流环节。此外,MBR20150CL符合RoHS环保要求,并通过了相关可靠性测试,适合自动化装配流程。

参数

器件类型:中心抽头双肖特基二极管
  最大重复反向电压(VRRM):150V
  平均整流电流(IF(AV)):20A(单个阳极)
  峰值正向浪涌电流(IFSM):80A(半波,60Hz)
  最大正向压降(VF):0.90V @ 10A, TJ=125°C
  最大反向漏电流(IR):2.0mA @ 150V, TJ=125°C
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +175°C
  热阻(RθJC):2.0°C/W 典型值
  封装形式:TO-220AC
  安装方式:通孔

特性

MBR20150CL的核心优势在于其优异的电学性能与热稳定性结合,能够满足现代高效电源设计对低功耗和高可靠性的双重需求。该器件采用中心抽头结构,集成了两个独立但共阴极的肖特基二极管,这种设计特别适用于全波整流拓扑,在降低元件数量的同时简化了PCB布局并减少了寄生电感的影响。肖特基势垒技术本身具有较低的开启电压,通常比传统的PN结二极管低30%~40%,从而显著减小导通期间的能量损耗,提升转换效率。在负载较重或持续大电流工作的条件下,这种低正向压降的优势尤为明显,有助于减少发热,延长系统寿命。
  该器件的最大重复反向电压为150V,支持多种低压直流输出场景,如12V、24V或48V系统的次级整流。同时,其高达20A的平均整流电流能力使得它可以在高功率密度电源中作为主整流元件使用,而无需额外并联多个分立二极管。在瞬态过载情况下,MBR20150CL可承受峰值达80A的非重复浪涌电流(标准60Hz半波条件),表现出较强的抗冲击能力。
  热管理方面,MBR20150CL的热阻RθJC典型值仅为2.0°C/W,意味着从芯片结到外壳的热量传导非常高效,配合外部散热片可实现长时间满负荷运行。其宽广的工作结温范围(-65°C至+175°C)也保证了在极端环境下的稳定性,适用于工业级甚至部分严苛应用场景。此外,器件经过优化设计,具有较低的反向恢复时间,几乎无反向恢复电荷,因此在高频开关电路中不会产生明显的反向恢复损耗或电磁干扰问题,进一步提升了系统能效和EMI表现。

应用

MBR20150CL广泛应用于各类需要高效低压大电流整流的电源系统中。典型应用包括开关模式电源(SMPS)的次级侧全波整流,尤其是在隔离式DC-DC转换器中,常用于同步整流替代方案不可行或成本敏感的设计场景。由于其低正向压降和高电流处理能力,该器件非常适合用于服务器电源、电信整流模块、工业电源单元以及嵌入式电源系统等对效率要求较高的场合。
  在便携式设备充电器、笔记本电脑适配器和LED驱动电源中,MBR20150CL可用于12V或24V输出端的整流电路,帮助实现紧凑化设计并提高能效。此外,在太阳能微逆变器、UPS不间断电源和电池管理系统中,该器件也可承担能量回馈或防倒灌功能。
  由于其TO-220AC封装具备良好的机械强度和散热性能,适合安装在带有散热片的环境中长期运行,因此在工业控制柜、电机驱动控制器和自动化设备中也有广泛应用。同时,该器件符合无铅和RoHS指令,支持现代绿色电子制造工艺,适用于自动插件线和回流焊接流程,提升了生产效率和产品一致性。

替代型号

STPS20H150CT
  VS-20CTQ150-M3
  MBR20150CT

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