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MBR20125CT 发布时间 时间:2025/8/16 14:38:32 查看 阅读:5

MBR20125CT 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双共阴极肖特基势垒整流器,广泛应用于电源整流、DC/DC转换器、逆变器、充电器等电力电子设备中。该器件采用TO-220封装形式,内部包含两个120A额定电流的肖特基二极管,具有低正向压降、高浪涌电流承受能力和快速响应时间等特点。MBR20125CT 适用于需要高效率、低损耗和高可靠性的整流电路设计。

参数

最大重复峰值反向电压(VRRM):125V
  最大平均正向电流(IF(AV)):20A(每个二极管)
  峰值正向浪涌电流(IFSM):400A
  正向压降(VF):0.45V @ 20A
  反向漏电流(IR):100μA @ 125V
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-220AB
  引脚数:3
  安装类型:通孔安装

特性

MBR20125CT 的核心特性在于其高性能的肖特基势垒结构,使其在高频整流和开关应用中表现出色。由于其低正向压降(通常在0.45V左右),该器件在大电流工作条件下能够显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,MBR20125CT 具有较高的浪涌电流承受能力(IFSM高达400A),可在瞬态负载或启动过程中保持稳定工作。
  该器件采用双共阴极封装结构,两个二极管共用一个阴极引脚,适用于双路整流或同步整流拓扑。其TO-220封装提供了良好的散热性能,适合中高功率应用场景。MBR20125CT 的高温工作能力(最高可达+175°C)确保其在恶劣环境下的稳定运行。
  MBR20125CT 还具有快速恢复时间(trr极短),适用于高频开关电路,减少了开关损耗并提高了整体系统效率。其低寄生电感设计有助于降低电磁干扰(EMI),提高系统稳定性。

应用

MBR20125CT 广泛应用于各种电力电子设备中,如开关电源(SMPS)、DC/DC转换器、逆变器、电池充电器、不间断电源(UPS)、工业控制电源、汽车电子系统和太阳能逆变器等。在这些应用中,该器件常用于次级整流、输出整流、自由轮整流和同步整流电路中,以提高能效和可靠性。
  在DC/DC转换器中,MBR20125CT 常用于同步整流结构,以取代传统的快恢复二极管,显著降低导通损耗并提高转换效率。在汽车电子领域,该器件适用于车载充电系统、DC-AC逆变器以及高功率音响系统电源模块。
  此外,MBR20125CT 也适用于通信设备中的高效率电源模块,如基站电源、光模块电源、路由器和交换机的供电系统等。由于其高可靠性和高温耐受能力,该器件在工业自动化和嵌入式系统中也有广泛应用。

替代型号

MBR20120CT, MBR20150CT, MBR20130CT

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