时间：2025/12/26 10:55:15
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MBR20100CTF-E1是一款由ON Semiconductor生产的双肖特基势垒整流二极管，专为高效率、高频率的电源转换应用而设计。该器件采用TO-220F封装，具有低正向电压降和快速恢复特性，适用于开关模式电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器以及续流或箝位二极管等场合。其双共阴极结构使得在同步整流或双输出整流电路中能够有效减少元件数量并提升系统效率。MBR20100CTF-E1的工作结温范围为-65°C至+175°C，具备良好的热稳定性和可靠性，适合在严苛环境条件下运行。此外，该器件符合RoHS标准，无铅且环保，广泛应用于工业电源、通信设备、消费类电子产品及汽车电子等领域。凭借其优异的电学性能和坚固的封装设计，MBR20100CTF-E1成为中高功率整流应用中的理想选择之一。
产品类型：双肖特基二极管
配置：双共阴极
最大平均整流电流：20 A
峰值重复反向电压：100 V
最大正向压降：0.88 V（典型值，IF = 20 A）
最大反向漏电流：1.0 mA（VR = 100 V, TJ = 125°C）
工作结温范围：-65°C 至 +175°C
封装/外壳：TO-220F
安装类型：通孔
热阻：1.25°C/W（结至外壳）
反向恢复时间：< 5 ns
MBR20100CTF-E1的核心优势在于其低正向导通压降与高效的热管理能力，这使其在大电流整流应用中显著降低功耗并提高整体系统效率。其正向压降在满载20A条件下典型值仅为0.88V，相较于传统硅整流二极管可大幅减少I2R损耗，尤其在低压大电流输出的开关电源中表现突出。由于采用了先进的肖特基势垒技术，该器件不存在少数载流子存储效应，因而具备极快的开关速度和极短的反向恢复时间（通常小于5ns），有效抑制了高频工作下的反向恢复尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统的电磁兼容性。这种快速响应特性也使其非常适合用于高频DC-DC变换器和同步整流拓扑中作为辅助整流元件。
该器件的双共阴极结构设计允许两个独立的肖特基二极管共享同一散热路径，通过TO-220F封装实现良好的热传导性能。其热阻仅为1.25°C/W（结至外壳），配合适当的散热片使用，可在持续高负载条件下维持较低的结温，从而保证长期工作的可靠性。此外，MBR20100CTF-E1具有较高的峰值反向电压额定值（100V），能够在瞬态电压波动或负载突变时提供足够的安全裕度，适用于12V至48V系统的整流需求，如服务器电源、电信整流模块和工业控制电源等。
在可靠性方面，该器件经过严格的质量认证，具备优良的抗浪涌能力和高温稳定性，在TJ=125°C时的最大反向漏电流仅为1.0mA，确保在高温环境下仍能保持较低的静态损耗。同时，其材料与制造工艺符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，支持绿色环保设计理念。综合来看，MBR20100CTF-E1以其高电流承载能力、低损耗、快速响应和可靠封装，成为现代高效电源系统中不可或缺的关键元器件之一。
MBR20100CTF-E1广泛应用于各类需要高效整流的电源系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），特别是在大电流输出的AC-DC适配器和工业电源模块中，用作次级侧整流元件以提升转换效率；在直流-直流转换器中，常用于隔离式拓扑如正激、反激和半桥结构的输出整流阶段；也可作为续流二极管在电机驱动和电感性负载电路中防止反向电动势损坏主开关器件。此外，它还适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源、电池充电管理系统以及通信基站电源等对效率和可靠性要求较高的领域。由于其具备良好的高温性能和稳定的电气参数，也在部分汽车电子电源系统中得到应用，例如车载DC-DC转换器和辅助电源单元。
STPS20H100CG\nVS-20ETH0100S\nMBR20100CT
