最大重复反向电压：100V
　　最大正向平均整流电流（单管）：10A
　　峰值非重复浪涌电流：20A
　　正向电压（IF=10A, TJ=125°C）：≤0.87V
　　反向漏电流（VR=100V, TJ=125°C）：≤2.0mA
　　工作结温范围：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C
　　热阻结到壳：3.0°C/W
　　封装类型：TO-220AB
　　二极管配置：双共阴极

MBR20100CT-G1作为一款高性能双肖特基二极管，具有多项突出的技术特性，使其在众多电源整流应用中表现出色。首先，其低正向压降特性是该器件最核心的优势之一。在10A的工作电流下，正向压降典型值仅为0.87V，远低于传统硅整流二极管（通常在1V以上）。这一特性直接降低了导通期间的能量损耗，提升了电源系统的整体转换效率，尤其在低压大电流输出的DC-DC变换器中效果更为明显。例如，在12V转5V或更低电压的同步整流拓扑中，使用该器件可有效减少发热，降低对散热系统的要求，进而缩小产品体积并提高可靠性。
　　其次，该器件具备优异的热稳定性和高温工作能力。其最大结温可达+175°C，意味着即使在高温环境中长时间运行，也能维持稳定的电气性能。同时，反向漏电流在高温条件下控制得当，在125°C时最大不超过2.0mA，避免了因漏电增大而导致的额外功耗和热失控风险。这种高温耐受能力使得MBR20100CT-G1非常适合用于密闭空间或通风不良的工业设备中。
　　再者，其双共阴极结构设计便于在全波整流或双路同步整流电路中使用，简化了外围电路设计。每个二极管独立封装于同一芯片内，共享散热路径，有利于热量均匀分布。TO-220AB封装不仅机械强度高，而且支持安装散热片，极大增强了散热能力，能够承受瞬态大电流冲击。此外，该器件具有较低的结到壳热阻（仅3.0°C/W），有助于快速将内部热量传导至外部环境，防止局部过热。
　　最后，MBR20100CT-G1还具备良好的抗浪涌能力和可靠性。其峰值非重复浪涌电流可达20A，能够在开机瞬间或负载突变时承受短时过流而不损坏。结合安森美严格的生产工艺和质量管控体系，该器件具备出色的长期稳定性与抗老化能力，适用于严苛工业环境下的持续运行需求。

MBR20100CT-G1因其高电流容量、低正向压降和优良的热性能，被广泛应用于多种电力电子系统中。最常见的用途是在开关模式电源（SMPS）中作为输出整流二极管，特别是在单端正激、推挽和全桥拓扑结构中，用于将高频变压器次级侧的交流脉冲转换为稳定的直流电压。由于其快速恢复特性（本质上无反向恢复电荷），它能有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），从而提升电源效率并改善EMC性能。
　　在直流-直流转换器领域，尤其是在非隔离式降压（Buck）或升压（Boost）电路中，该器件常被用作续流二极管或输出整流元件。例如，在服务器电源、通信设备电源模块或LED驱动电源中，MBR20100CT-G1可以替代传统的快恢复二极管，显著降低导通损耗，提高系统能效等级。此外，在同步整流尚未普及或成本受限的设计中，该肖特基二极管仍是一种经济高效的解决方案。
　　该器件也适用于电池充电管理系统，特别是在大功率铅酸或锂电池充电器中，作为主整流元件承担高电流整流任务。其低VF特性有助于减少充电过程中的能量浪费，提升充电效率。同时，在太阳能逆变器、UPS不间断电源和电机驱动系统中，MBR20100CT-G1可用于输入或输出端的整流与保护电路，提供可靠的电流单向导通功能。
　　除此之外，该器件还可用于防反接保护电路，在电源输入端防止因电池或电源极性接反而导致后级电路损坏。其高电流承载能力和低导通压降使得在大电流应用场景下依然保持较低温升，保障系统安全稳定运行。

SR20100PTPBF
　　STPS20L100CT
　　MBR20100CT