时间:2025/12/26 12:21:05
阅读:17
ZXMN3A14FTC是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道MOSFET晶体管,采用先进的TrenchFET技术制造。该器件专为高效率、低电压开关应用而设计,具有优异的导通电阻和开关性能。ZXMN3A14FTC封装在小型SOT23(SC-70)表面贴装封装中,非常适合空间受限的便携式电子产品。由于其出色的热性能和电气特性,这款MOSFET广泛应用于电源管理、电池供电设备以及负载开关等场景。
该器件的最大漏源电压(VDS)为30V,连续漏极电流可达3.5A,使其能够在中等功率水平下高效运行。其低阈值电压确保了与逻辑电平信号的良好兼容性,允许直接由微控制器或其他数字IC驱动。此外,ZXMN3A14FTC符合RoHS标准,并且不含卤素,满足现代电子产品对环保材料的要求。通过优化的芯片设计和封装技术,该MOSFET在高频开关应用中表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性,是许多消费类电子和工业控制系统的理想选择。
类型:N沟道
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):3.5A
脉冲漏极电流(IDM):14A
导通电阻RDS(on):14mΩ @ VGS=10V
导通电阻RDS(on):17mΩ @ VGS=4.5V
导通电阻RDS(on):22mΩ @ VGS=2.5V
阈值电压(VGS(th)):1V ~ 2.5V
输入电容(Ciss):420pF @ VDS=15V
反向传输电容(Crss):50pF @ VDS=15V
输出电容(Coss):160pF @ VDS=15V
开启延迟时间(td(on)):6ns
关断延迟时间(td(off)):18ns
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:SOT-23 (SC-70)
导通面积(Area):约0.6mm x 0.6mm
ZXMN3A14FTC采用先进的TrenchFET工艺制造,这种结构显著降低了导通电阻并提升了单位面积的电流承载能力。其超低的RDS(on)特性使得在大电流条件下也能保持较小的功耗,从而提高整体系统效率。例如,在3.5A负载下,当VGS=4.5V时,其典型RDS(on)仅为17mΩ,对应的导通压降约为60mV,功率损耗低于0.21W,这在紧凑型电源设计中极为关键。
该器件具备快速开关响应能力,开启延迟时间为6ns,关断延迟时间为18ns,配合较低的输入和输出电容,可实现高效的高频切换操作,适用于DC-DC转换器、同步整流和开关稳压器等高速开关电路。同时,其栅极电荷(Qg)较低,减少了驱动电路所需的能量,进一步提升了能效。
热性能方面,尽管采用小型SC-70封装,但内部结构经过优化,具有良好的散热路径,可在高达+150°C的结温下安全运行。这对于长时间工作的嵌入式系统或高温环境下的应用至关重要。此外,器件的阈值电压范围为1V至2.5V,支持3.3V甚至更低电压的逻辑信号直接驱动,无需额外电平转换电路,简化了设计复杂度。
抗雪崩能力和可靠性也经过严格测试,确保在瞬态过压或短路情况下仍能保持稳定工作。所有生产流程均符合AEC-Q101汽车级认证的部分要求,表明其具备较高的可靠性和耐久性。综合来看,ZXMN3A14FTC在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡,适合用于各类高性能、小型化电子设备中的功率开关任务。
ZXMN3A14FTC因其高效率、小封装和良好的电气特性,被广泛应用于多种电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,用于控制不同模块的供电通断,实现节能和延长电池寿命的目的。在这些应用中,它通常作为负载开关使用,能够快速响应控制信号,切断非必要电路的供电以降低待机功耗。
此外,该器件适用于直流电机驱动电路,尤其是在玩具、小型机器人或微型风扇控制系统中,作为H桥或单侧驱动开关元件。其低导通电阻减少了发热问题,提高了驱动效率。在LED照明系统中,ZXMN3A14FTC可用于恒流调节或PWM调光控制,提供精确的电流切换功能。
在电源管理系统中,它常用于同步整流拓扑结构中,替代传统二极管以减少正向压降和能量损耗,特别是在升压或降压型DC-DC转换器中表现优异。由于其快速开关特性,有助于提升转换效率,尤其是在轻载和重载条件下都能维持较高效能。
工业传感器模块、USB电源开关、热插拔控制器以及电池保护电路也是其典型应用场景。其SOT-23封装便于自动化贴片生产,适合大规模制造。同时,由于符合绿色环保标准,适用于出口导向型产品设计。总的来说,ZXMN3A14FTC是一款通用性强、适应面广的功率MOSFET,特别适合需要小型化与高效率兼顾的设计需求。
[
"FDMN340P",
"AO3400",
"SI2302DDS",
"BSS138",
"MTD3055"
]