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MBR20030CT 发布时间 时间:2025/9/4 1:30:19 查看 阅读:15

MBR20030CT是一款由ON Semiconductor生产的双30A、200V肖特基整流器,采用TO-220AB封装形式。这款器件主要用于高功率开关电源、整流器和其他需要高效能二极管的应用中。MBR20030CT以其低正向电压降和高浪涌电流能力著称,适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。

参数

类型:肖特基整流器
  正向电流(IF):30A(每个元件)
  反向电压(VR):200V
  正向电压降(VF):约0.52V(最大值)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-220AB

特性

MBR20030CT具有多个关键特性,使其在高性能电源应用中表现优异。首先,其双元件结构允许两个30A的肖特基二极管集成在一个封装中,从而减少了外部元件的数量并简化了电路设计。其次,该器件的低正向电压降(最大为0.52V)显著降低了导通损耗,提高了整体系统效率。此外,MBR20030CT具有优异的热性能,可在高温环境下稳定工作,其工作温度范围为-55°C至+175°C,确保了在严苛环境下的可靠性。该器件还具备高浪涌电流承受能力,使其在面对瞬态过载时依然能够保持稳定运行。最后,TO-220AB封装提供了良好的散热性能,有助于维持器件在高负载条件下的稳定工作温度。

应用

MBR20030CT广泛应用于各类高功率开关电源、直流-直流转换器、不间断电源(UPS)、逆变器以及工业控制系统中。其高效能和高可靠性使其成为通信设备、服务器电源、太阳能逆变器等对性能要求较高的设备的理想选择。此外,它也可用于电池充电系统和电机驱动器中的整流电路。

替代型号

MBR20040CT, MBR30H200RA

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MBR20030CT参数

  • 制造商GeneSiC Semiconductor
  • 产品Schottky Diodes
  • 峰值反向电压30 V
  • 正向连续电流200 A
  • 最大浪涌电流1500 A
  • 正向电压下降0.75 V
  • 最大反向漏泄电流1 uA
  • 工作温度范围- 40 C to + 175 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体Module
  • 封装Bulk
  • 工厂包装数量25