时间：2025/6/19 1:48:20
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IRF7350TRPBF 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 Trench 技术制造。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载切换等应用。其封装形式为 TO-263 (D2PAK)，支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
该器件的工作电压范围较广，能够承受高达 60V 的漏源极电压，并且具备良好的热性能和电气性能。
最大漏源极电压：60V
最大栅源极电压：±20V
连续漏极电流：34A
导通电阻（Rds(on)）：1.9mΩ（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：125nC
反向恢复时间：28ns
功耗：140W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IRF7350TRPBF 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 快速开关特性，适合高频应用环境。
3. 较高的电流处理能力，满足大功率电路需求。
4. 小巧的 D2PAK 封装设计，节省 PCB 空间。
5. 支持高结温操作，增强了系统的可靠性和稳定性。
6. 内部二极管具有快速恢复功能，减少能量损失。
这些特点使得 IRF7350TRPBF 成为高性能功率转换应用的理想选择。
IRF7350TRPBF 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机控制和驱动系统。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载切换。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备。
5. 高效功率因数校正 (PFC) 电路。
6. 各类需要高效功率管理的汽车电子系统。
其优异的性能使其能够在多种复杂环境中稳定运行。
IRF7350TRPBF, IRL7350TRPBF, SI7143DP
