IXDN514PI 是一款由 IXYS 公司生产的高速 MOSFET 驱动器集成电路,专为驱动功率 MOSFET 和 IGBT 器件而设计。该芯片具备高驱动能力、低传播延迟和宽工作电压范围的特点,适用于各类开关电源、DC-DC 转换器、电机控制以及逆变器等高频功率转换应用。
类型:MOSFET 驱动器
封装类型:DIP-8
最大供电电压:+20V
最小供电电压:+4.5V
输出电流(峰值):±4.0A
传播延迟时间:17ns(典型值)
上升时间:7ns
下降时间:6ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
IXDN514PI 采用专有的高压集成电路技术制造,具备出色的抗干扰能力,能够在高 dv/dt 环境中稳定工作。该器件的输出级由推挽式结构组成,能够提供高达 ±4A 的峰值电流,有效提高功率开关的开关速度,从而降低开关损耗。
其低传播延迟(典型值为 17ns)和匹配的上升、下降时间(分别为 7ns 和 6ns)确保了在高频开关应用中信号传输的精确性和一致性。此外,IXDN514PI 具备宽输入电压范围(4.5V 至 20V),适用于多种电源设计需求。
芯片内部集成欠压锁定(UVLO)功能,在电源电压低于安全阈值时自动关闭输出,防止误动作,提高系统可靠性。IXDN514PI 还具有高输出驱动能力和高输出电压摆幅的特点,可直接驱动多个功率器件,适用于半桥、全桥以及同步整流拓扑结构。
该芯片的 DIP-8 封装形式便于 PCB 设计和手工焊接调试,适合在工业控制、汽车电子、新能源等领域使用。
IXDN514PI 广泛应用于需要高速驱动功率 MOSFET 或 IGBT 的场合,例如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、UPS 系统、太阳能逆变器以及功率因数校正(PFC)电路等。由于其优异的高频响应性能,IXDN514PI 特别适用于高频谐振变换器和 ZVS(零电压开关)拓扑结构中的驱动环节。
IXDN514PI 可以被 IXDN514PA、IXDN514NPI、IXDN514SIA 等型号替代,具体选择应根据封装、工作温度范围及应用需求进行匹配。