时间：2025/8/14 3:58:40
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MBR1660DC_R2_00001 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的肖特基势垒整流器（Schottky Barrier Rectifier），广泛用于电源整流、直流-直流转换器、逆变器和各种高效率电源管理系统中。该器件采用先进的平面肖特基势垒技术，具有低正向压降、高电流能力和快速开关特性，适合在高频率和高效率要求的应用中使用。该器件的封装形式为D2-PAK，便于散热和安装。
最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
最大平均整流电流（IF(AV)）：16A
最大正向压降（VF @ IF=16A）：0.52V（典型值）
最大反向漏电流（IR @ VR=60V）：0.5mA（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
存储温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：D2-PAK（表面贴装）
安装类型：表面贴装
引脚数：3
热阻（RθJA）：2.5°C/W（典型值）
MBR1660DC_R2_00001 是一款高性能肖特基二极管，其核心优势在于低正向压降和高电流处理能力，使得在电源转换过程中能有效降低功率损耗，提高整体效率。该器件的正向压降在16A额定电流下仅为0.52V左右，相较于传统二极管具有显著优势，尤其适合用于同步整流、DC-DC转换器和电池充电系统等高效率要求的场景。此外，其最大反向电压为60V，适用于多种中低压电源应用。
该器件的快速开关特性使其在高频应用中表现出色，减少了开关损耗并提升了系统响应速度。MBR1660DC_R2_00001 采用D2-PAK封装，具备良好的热管理和机械稳定性，能够在高温环境下稳定运行。其工作温度范围宽达-55°C至+175°C，确保在恶劣环境条件下仍能保持可靠性能。
MBR1660DC_R2_00001 的设计符合RoHS环保标准，无铅且符合现代电子产品的环保要求。该器件的封装结构优化了散热路径，使其在高负载条件下也能维持较低的结温，从而延长使用寿命并提升系统稳定性。此外，它还具备良好的抗浪涌能力和较低的反向漏电流，在各种电源管理应用中具有较高的可靠性。
MBR1660DC_R2_00001 广泛应用于多种电源管理系统和电力电子设备中。其主要应用场景包括：DC-DC转换器中的整流和续流二极管、同步整流电路、电池充电器、电源适配器、电信电源系统、太阳能逆变器、UPS（不间断电源）、工业控制系统以及汽车电子系统中的电源模块。该器件的低正向压降和高电流能力使其特别适用于需要高效率和高可靠性的应用，例如在电动汽车充电系统和新能源设备中用于能量转换和整流。
MBR1660DC_R2_00001 的替代型号包括 MBRS3H60CT、SB1660、MBRD6016T4G 和 MBR2560CTLG。这些型号在电气特性和封装形式上与 MBR1660DC_R2_00001 具有相似或兼容的性能指标，适用于替换使用。具体选择替代型号时需根据应用需求进行详细匹配。
