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MBR130T1G 发布时间 时间:2024/6/3 15:31:45 查看 阅读:185

MBR130T1G是一款功率型二极管,具有高电压、高电流的特点。它是由ON Semiconductor公司研发和生产的,广泛应用于电源管理、电池充放电、逆变器和驱动器等领域。
  MBR130T1G是一款肖特基二极管,其操作理论基于肖特基效应。肖特基效应是指在金属与半导体接触处,当金属为n型半导体时,由于金属与半导体之间的势垒形成肖特势垒,导致电子向金属迁移,产生电流。MBR130T1G的结构中,金属材料与n型半导体材料接触,形成肖特势垒,当施加正向偏置电压时,肖特势垒减小,导致电子向金属迁移,形成正向电流;而当施加反向偏置电压时,肖特势垒增加,电子迁移受阻,形成反向击穿电流。

基本结构

MBR130T1G的基本结构包括金属材料、n型半导体材料和p型半导体材料。金属材料与n型半导体材料接触,形成肖特势垒,而p型半导体材料与n型半导体材料形成p-n结。金属材料在器件结构中充当电流导体的作用,n型半导体材料是电子主要运动的区域,p型半导体材料则是空穴主要运动的区域。这种结构使得MBR130T1G具有较低的正向电压降和快速的开关速度。

参数

正向电压降:0.55V
  最大正向电流:1A
  反向电压:30V
  反向恢复时间:10ns
  最大反向漏电流:2μA
  封装类型:SOD-123

特点

1、高电压和高电流承受能力:MBR130T1G能够承受高达30V的反向电压和1A的正向电流,适用于高功率应用。
  2、低正向电压降:MBR130T1G具有较低的正向电压降,只有0.55V,减少了功率损耗和热量产生。
  3、快速反向恢复时间:MBR130T1G的反向恢复时间为10ns,具有快速的开关速度,适用于高频应用。
  4、低反向漏电流:MBR130T1G的最大反向漏电流为2μA,保证了系统的稳定性和能效。
  5、封装方便:MBR130T1G采用SOD-123封装,便于焊接和安装。

工作原理

MBR130T1G是一种肖特基二极管,其工作原理基于肖特基效应。当金属与n型半导体材料接触时,形成肖特势垒。当施加正向偏置电压时,肖特势垒减小,电子向金属迁移,形成正向电流。反之,当施加反向偏置电压时,肖特势垒增加,电子迁移受阻,形成反向击穿电流。MBR130T1G的结构中,金属材料与n型半导体材料接触,形成肖特势垒。当施加正向电压时,肖特势垒减小,形成正向电流;当施加反向电压时,肖特势垒增加,形成反向击穿电流。

应用

MBR130T1G广泛应用于电源管理、逆变器、驱动器和电池充放电等领域,具体应用包括但不限于:
  1、电源管理:MBR130T1G可用于电源开关、电源反向保护和电源逆变等应用。
  2、逆变器和驱动器:MBR130T1G适用于逆变器和驱动器中的开关电路,提供高效的能量转换。
  3、电池充放电:MBR130T1G可用于电池充电管理和电池放电保护等应用,实现高效率和可靠性。

设计流程

设计MBR130T1G的流程包括以下几个步骤:
  1、确定应用需求:首先,需要明确设计的应用需求,包括工作电压、工作电流、频率等参数。这将有助于选择合适的二极管。
  2、选择合适的封装:根据设计需求和空间限制,选择适合的封装类型。MBR130T1G采用SOD-123封装,因此需要考虑焊接和安装的便利性。
  3、电路设计:根据应用需求,设计电路图。在电路中,将MBR130T1G正确连接到其他元器件,如电源、电阻和电容等。
  4、PCB布局和布线:根据电路设计,进行PCB的布局和布线。确保良好的信号完整性、电源分离和良好的热管理。
  5、电路仿真和验证:使用仿真软件,对设计的电路进行仿真和验证。这可以帮助检查电路的性能和稳定性,并进行必要的调整。
  6、PCB制造和组装:根据设计的PCB图,进行PCB的制造和组装。确保焊接的质量和正确性。
  7、测试和调试:完成PCB组装后,进行测试和调试。通过测量电路的性能指标,如电压降、电流和反向漏电流等,验证设计的正确性。
  8、系统集成和优化:将设计的电路集成到系统中,并进行必要的优化。这可能涉及到电源管理、保护电路和滤波等。
  9、验证和验证:对整个系统进行验证和验证,确保满足设计要求并具有良好的性能。
  10、量产和品质控制:完成设计验证后,进行量产和品质控制。确保产品的一致性和可靠性。
  通过以上的设计流程,可以实现MBR130T1G的设计,并确保其在特定应用中的性能和可靠性。

安装要点

安装MBR130T1G时需要注意以下几个要点:
  1、封装类型:MBR130T1G采用SOD-123封装,因此需要选择适用于SOD-123封装的焊接工具和技术。
  2、焊接温度:根据MBR130T1G的规格和建议,选择合适的焊接温度。一般来说,建议在260°C以下进行焊接,以避免损坏二极管。
  3、焊接技术:可以选择手动焊接或使用表面贴装技术(SMT)进行焊接。对于手动焊接,使用烙铁或热风枪等工具进行焊接。对于SMT,使用自动贴装设备进行焊接。
  4、焊接质量:确保焊接质量良好,焊接点与焊盘之间应有良好的接触。焊接点应均匀、光滑,不应有焊接过多或焊接不足的情况。
  5、安装位置:将MBR130T1G安装在合适的位置,避免与其他元器件或散热体产生干扰。确保安装位置有足够的空间和散热条件。
  6、焊接引脚:正确连接MBR130T1G的引脚。根据电路设计,将MBR130T1G的正极(阳极)和负极(阴极)正确连接到电路中。
  7、温度管理:考虑MBR130T1G的温度管理。确保在工作过程中,MBR130T1G的温度不会超过其允许的工作温度范围。可以使用散热片或风扇等散热措施。
  8、静电保护:在安装过程中,注意静电保护。使用防静电手套和工具,避免静电对MBR130T1G产生损害。
  9、验证和测试:在安装完成后,对MBR130T1G进行验证和测试。测量电路的性能指标,如电压降、电流和反向漏电流等,确保安装正确且没有故障。
  10、安全操作:在安装过程中,遵循安全操作规程。确保电源已关闭,并且操作者具备相关的安全知识和技能。
  通过遵循以上要点,可以确保MBR130T1G的安装质量和可靠性,提高整个系统的性能和稳定性。

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MBR130T1G参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)30V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)450mV @ 700mA
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电60µA @ 30V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123
  • 供应商设备封装SOD-123
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称MBR130T1GOSDKR