时间：2023/3/31 11:54:02
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MBR1100RLG技术参数
反向重复峰值电压VRRM(max)(V)：100
平均整流器前向电流IO(max)(A)：1
瞬间前向电压VF(max)@IF(V)：0.79@1A
非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A)：50
瞬间反转电流IR(max)(mA)：0.500
封装/温度(℃)：DIODE41/150（max）
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |
