时间：2025/6/4 18:08:09
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MBR10U100HHE3 是一款基于肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode）技术的高效整流二极管。它具有低正向压降、快速恢复特性和高浪涌电流能力，适合用于高频开关电源、DC-DC转换器以及各种需要高效整流的应用场景。
该器件采用TO-252 (DPAK) 封装形式，能够提供出色的散热性能和紧凑的设计结构，同时具备较高的可靠性与耐用性。
额定电压：100V
额定电流：10A
正向压降（典型值）：0.65V
反向漏电流（最大值，在25°C时）：100uA
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
MBR10U100HHE3 的主要特点是其低正向压降，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。此外，该器件还拥有快速的开关速度和较低的反向恢复电荷，使得其非常适合于高频应用环境。
由于采用了肖特基技术，这款二极管避免了传统PN结二极管中的少数载流子存储效应，从而显著提高了开关性能。
在热管理方面，TO-252封装提供了良好的散热路径，确保即使在较高功率条件下也能保持稳定运行。
此外，MBR10U100HHE3 还具有较高的浪涌电流能力和较强的抗瞬态干扰能力，使其能够在恶劣的工作环境中表现出色。
MBR10U100HHE3 广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 高频开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 可再生能源系统（如太阳能逆变器）
5. 工业自动化设备
6. 消费类电子产品中的电源管理模块
7. 电池充电器及保护电路
8. 各种需要高效整流功能的场合
MBR10U100ETR, MBR10U100T3, MBR10UF100
