FDS4465-NL&-9 是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用小尺寸表面贴装封装,适用于需要高效率和低功耗的电子电路设计。该器件具有较低的导通电阻和较快的开关速度,非常适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等应用领域。
其主要特点在于能够支持较高的连续漏极电流,并且在广泛的栅极驱动电压范围内提供稳定的性能表现。
最大漏源电压:30V
最大漏极电流:7.1A
导通电阻(典型值):35mΩ
栅极电荷:10nC
连续工作温度范围:-55℃至150℃
封装形式:SOT-23
FDS4465-NL&-9 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输,同时减少了器件本身的功耗。
2. 快速开关能力降低了开关损耗,使其特别适合高频操作环境。
3. 小型化封装有助于节省印刷电路板空间,便于紧凑型设计。
4. 在较宽的工作温度范围内保持稳定性能,适应各种恶劣的应用场景。
5. 高雪崩能量能力增强了产品的鲁棒性和可靠性。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
这款 MOSFET 广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备及汽车电子系统中。具体包括但不限于以下方面:
1. 开关电源适配器中的同步整流电路。
2. 移动设备内部的负载开关功能实现。
3. DC-DC 转换器内的功率开关元件。
4. 小型电机驱动器中的功率输出级控制。
5. 各种保护电路如过流保护和短路保护等场合。
FDS4481, FDS4483, FDS4472