MBR1090DC_R2_00001 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的肖特基二极管,广泛用于高效率的电源转换应用中。该器件采用了先进的肖特基势垒技术,提供低正向压降和快速开关性能,适用于AC-DC和DC-DC转换器、续流二极管、逆变器以及电池充电器等应用。
最大重复峰值反向电压(VRRM):90V
最大平均正向电流(IF(AV)):10A
正向压降(VF):0.82V(典型值,@IF=5A)
最大反向漏电流(IR):0.5mA(@VR=90V,25°C)
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
存储温度范围:-65°C ~ +175°C
封装类型:TO-252(DPAK)
安装类型:表面贴装(SMD)
MBR1090DC_R2_00001 的主要特性之一是其优异的正向导通性能。在额定电流下,其正向压降仅为0.82V左右,这显著降低了导通损耗,提高了系统效率。此外,该器件的快速恢复时间几乎为零,这使其在高频开关应用中表现优异,减少了开关损耗。
该肖特基二极管采用TO-252(DPAK)封装,具备良好的散热能力,适用于高功率密度设计。其表面贴装封装形式便于自动化生产,并提高了PCB布局的灵活性。MBR1090DC_R2_00001 的工作温度范围宽至-55°C至+175°C,适合在严苛的工业环境和高温条件下使用。
在可靠性方面,该器件具有较高的抗浪涌能力,能够在瞬态负载条件下稳定工作。此外,其低反向漏电流特性(在25°C时最大为0.5mA)确保了在高温环境下的稳定性能。这些特点使MBR1090DC_R2_00001 成为电源适配器、服务器电源、太阳能逆变器、电信设备电源以及电池管理系统中的理想选择。
MBR1090DC_R2_00001 主要用于需要高效率和快速开关性能的电源系统中。其典型应用包括AC-DC电源转换器、同步整流电路、DC-DC转换器中的续流二极管、电机驱动电路中的反向电压保护、不间断电源(UPS)、电池充电器以及光伏逆变器等。
在同步整流应用中,该肖特基二极管可以与MOSFET配合使用,以替代传统的超快恢复二极管,从而显著提高整流效率。在DC-DC转换器中,MBR1090DC_R2_00001 可作为输出整流器或续流二极管,帮助实现更高的能量转换效率。
此外,该器件也适用于需要高可靠性的工业和通信电源系统。例如,在基站电源、服务器电源和LED照明驱动器中,MBR1090DC_R2_00001 能够提供稳定的性能和较长的使用寿命。由于其低正向压降和良好的热稳定性,它在高功率密度设计中尤其受到青睐。
MBR10100, SR1090, SB1090, MBR10H90