MBR1080DC_R2_00001 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的肖特基势垒整流器(Schottky Barrier Rectifier),专为高效能和高可靠性应用设计。该器件具有较低的正向压降和快速的开关特性,适用于需要高效率的电源系统。MBR1080DC采用双共阴极配置,最大正向电流为10A,最大反向电压为80V。该器件封装为D2PAK(TO-263),适合表面贴装。
最大正向电流(IF):10A
最大反向电压(VR):80V
正向压降(VF):0.35V(典型值,最大值为0.55V)
反向漏电流(IR):0.5mA(典型值,最大值为10mA)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
封装类型:D2PAK(TO-263)
MBR1080DC_R2_00001 的核心特性在于其优异的肖特基二极管性能。首先,其低正向压降(VF)确保了在高电流条件下较低的功率损耗,从而提高了整体效率。在典型工作条件下,正向压降仅为0.35V,即使在高温环境下也能保持稳定性能,这对于电源转换器、DC-DC转换器和负载开关等应用至关重要。
其次,该器件具有非常快速的开关特性,几乎无反向恢复时间(trr),这对于高频开关电路尤为重要。由于肖特基二极管的工作原理不同于传统的PN结二极管,其载流子复合过程几乎不存在,因此能够显著减少开关损耗,提高系统效率。
此外,MBR1080DC_R2_00001 采用了双共阴极配置,使得在同步整流电路中能够更方便地使用,减少了PCB布局的复杂性。其D2PAK(TO-263)封装提供了良好的热性能,能够有效散热,确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
该器件的工作温度范围从-55°C到+150°C,适用于各种恶劣环境条件,包括汽车电子、工业控制和通信设备等应用场景。其存储温度范围也较宽,达到-65°C至+150°C,确保了在存储和运输过程中不会因温度变化而损坏。
MBR1080DC_R2_00001 适用于多种高性能电源管理应用。在电源转换器中,它常用于同步整流,提高转换效率并减少发热。由于其低正向压降和快速开关特性,非常适合用于DC-DC转换器,尤其是在高频率开关环境中。在电源管理系统中,该器件可以用于负载开关、电池充电管理以及反向极性保护电路。此外,该器件也广泛应用于服务器电源、电信设备、汽车电子和便携式电子设备的电源管理模块。在这些应用中,MBR1080DC_R2_00001 能够提供可靠的整流功能,确保系统的高效运行。
MBR1080CT, MBR1080PT, SR1080