MBR1050DC_R2_00001 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的肖特基势垒整流器(Schottky Barrier Rectifier),主要用于高效率的电源转换系统。该器件具有低正向压降和快速开关特性,适用于各种高频率和高效率的电源应用。
最大重复峰值反向电压:50V
最大平均整流电流:10A
正向压降(最大值):0.55V(在10A时)
最大反向漏电流:10μA(在50V时)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
MBR1050DC_R2_00001 的核心特性之一是其低正向压降,这使得器件在导通状态下能够显著降低功率损耗,从而提高电源转换效率。由于肖特基二极管的结构特性,该器件没有普通二极管的少数载流子存储效应,因此其开关速度非常快,适用于高频整流应用。
此外,该器件采用双共阴极(Dual Common Cathode)封装结构,能够在一个封装中提供两个独立的肖特基二极管单元,适用于全波整流电路或并联工作以提高电流承载能力。其紧凑的封装形式(通常为TO-252或DPAK)不仅节省空间,还便于安装和散热,适用于表面贴装技术(SMT)。
MBR1050DC_R2_00001 还具备良好的热稳定性,能够在较高的工作温度下保持稳定性能。这种特性使得它在紧凑型电源设计中表现优异,例如在DC/DC转换器、同步整流器、电池充电系统以及不间断电源(UPS)中均有广泛应用。
MBR1050DC_R2_00001 被广泛应用于各类高效率电源系统中,尤其是在需要低电压大电流输出的场合。例如,在DC/DC转换器中,该器件可作为输出整流二极管使用,有效降低损耗并提高整体效率。在同步整流电路中,它可以替代传统的快速恢复二极管,从而显著提升转换效率。
此外,该器件还常用于电池充电管理系统、服务器电源、通信设备电源、便携式电子设备电源适配器等。由于其高频响应特性,也适用于功率因数校正(PFC)电路中的辅助整流环节。
由于其优异的热性能和稳定性,该器件也被广泛应用于工业控制、汽车电子以及光伏逆变系统中,特别是在空间受限和要求高可靠性的应用中表现尤为突出。
MBR1045CT, MBR1060CT, SB1050, MBR1045JF