时间：2025/12/26 3:40:32
阅读：17
MBR10200CT是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的双肖特基势垒整流二极管，广泛应用于高效率电源转换系统中。该器件采用TO-220AC封装，内部集成了两个共阴极连接的肖特基二极管，适用于需要低正向压降和快速开关特性的电路设计。MBR10200CT的额定平均正向整流电流为10A，最大反向重复峰值电压为200V，使其成为中等电压、大电流应用中的理想选择。由于其肖特基结构，该器件在导通时表现出较低的正向压降（通常在0.5V至0.85V之间），从而显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，MBR10200CT无需复杂的驱动电路，属于被动式器件，具有良好的热稳定性和长期可靠性，适合在工业电源、开关模式电源（SMPS）、逆变器、DC-DC转换器以及续流或箝位电路中使用。该器件符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，并具备较高的抗浪涌电流能力，能够在瞬态负载条件下保持稳定工作。
型号：MBR10200CT
制造商：ON Semiconductor
器件类型：双肖特基势垒整流二极管
封装形式：TO-220AC
引脚数：3
最大重复反向电压（VRRM）：200V
最大直流阻断电压（VR）：200V
平均正向整流电流（IF(AV)）：10A（单个二极管）
峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（@8.3ms单半波）
最大正向电压降（VF）：0.85V @ 10A, TJ=125°C（每个二极管）
最大反向漏电流（IR）：1.0mA @ 200V, TJ=25°C；10mA @ 200V, TJ=125°C
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
热阻（RθJC）：约2.0°C/W
配置：共阴极双二极管（Common Cathode）
MBR10200CT的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构通过金属-半导体结代替传统的PN结，从根本上消除了少数载流子的存储效应，因此具备极快的开关速度和极低的反向恢复时间（几乎为零）。这一特性使得该器件在高频开关电源中能够有效减少开关损耗，避免因反向恢复电荷引起的电磁干扰（EMI）问题。同时，低正向压降显著提升了能效，尤其在大电流输出的应用场景下节能效果更为明显。例如，在10A工作电流下，其典型正向压降仅为0.5V左右，对应的导通功率损耗仅为5W，远低于同等规格的快恢复二极管。此外，该器件拥有出色的热性能表现，TO-220AC封装具备良好的散热能力，可通过外接散热片进一步增强热管理效果，确保长时间高负荷运行下的稳定性。器件的工作结温可达+175°C，表明其在高温环境下仍可维持正常功能，适用于工业级严苛环境。MBR10200CT还具备较强的抗浪涌能力，可承受高达150A的短时峰值电流，增强了系统对输入突变或负载瞬变的容忍度。所有电气参数均经过严格测试，并提供完整的数据手册支持，便于工程师进行热仿真与可靠性评估。值得一提的是，该器件的共阴极结构特别适用于全波整流或同步整流拓扑中的续流路径设计，简化了PCB布局并减少了寄生电感的影响。整体而言，MBR10200CT凭借其高效、可靠、耐用的综合性能，成为现代电力电子系统中不可或缺的关键元件之一。
MBR10200CT常用于各类高效率电源系统中，尤其是在开关模式电源（SMPS）中作为输出整流二极管使用，适用于服务器电源、通信电源模块及工业电源设备。在DC-DC转换器中，它可用于非隔离式拓扑如Buck、Boost或Flyback电路中的续流或输出整流环节，利用其低VF和快速响应特性提升转换效率。此外，在逆变器系统中，该器件可用于旁路或箝位功能，防止感应电压尖峰损坏主开关管。由于其高达10A的持续电流能力和200V耐压水平，也适合用于太阳能微逆变器、UPS不间断电源和电动工具电源单元中。在电机驱动器中，MBR10200CT可作为感应负载的续流二极管，保护MOSFET或IGBT免受反向电动势冲击。该器件还可应用于电池充电管理系统、LED驱动电源以及各类适配器产品中，特别是在追求高能效和紧凑设计的产品中表现出色。由于其符合环保标准且支持无铅回流焊工艺，也广泛用于消费类电子产品和绿色能源解决方案中。无论是在自然冷却还是强制风冷条件下，MBR10200CT都能保持稳定的电气性能，适应多种安装方式，包括垂直安装加散热片或集成于铝基板之上。
STPS10H200CT
VS-10BQ200-M3-AP
MBR10200F
MBR10200TR
