时间：2025/8/14 10:25:30
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MBR10150DC_R2_00001 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的肖特基二极管模块，主要用于高电流、高效率的电源应用。该器件采用双共阴极配置，具有低正向电压降和快速开关特性，适用于整流、续流和反向电压保护等电路。MBR10150DC_R2_00001 通常用于高功率密度电源系统，如DC-DC转换器、服务器电源和工业电源设备。
器件类型：肖特基二极管（双共阴极）
最大正向电流（If）：10A
最大反向峰值电压（VRRM）：150V
正向电压降（Vf）：约0.52V（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
安装方式：表面贴装
最大反向漏电流（IR）：在150V下为0.1mA（最大）
MBR10150DC_R2_00001 肖特基二极管模块具有多项优异特性，使其在高功率和高效率电源应用中表现出色。其最大正向电流为10A，最大反向峰值电压为150V，能够承受较高的电压和电流应力。该器件的正向电压降（Vf）典型值为0.52V，在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，有助于提高整体系统效率。
此外，MBR10150DC_R2_00001 采用双共阴极结构，适用于并联使用或双路输出整流，有助于简化电路设计并提高可靠性。该器件的反向漏电流在150V下最大为0.1mA，表现出良好的反向阻断能力。
封装方面，该二极管采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有良好的热管理和焊接可靠性，适用于自动化贴片工艺。其工作温度范围为-55°C至+175°C，适用于各种严苛环境条件下的应用。
综合来看，MBR10150DC_R2_00001 是一款高性能、高可靠性的肖特基二极管模块，广泛适用于高功率密度电源系统中。
MBR10150DC_R2_00001 主要应用于需要高效率、高电流能力的电源系统中。典型应用包括DC-DC转换器、服务器电源、工业电源、电信电源、UPS不间断电源以及电机驱动电路中的续流和反向电压保护。由于其低正向压降和高电流能力，该器件在提高能效和降低热损耗方面表现优异，适用于高功率密度设计。此外，它也可用于电池管理系统（BMS）中的隔离和保护电路。
MBR10150CT、MBR10150FCT、SB10150CT
