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IXYA20N65C3 发布时间 时间:2025/8/6 0:34:35 查看 阅读:29

IXYA20N65C3是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电压和高电流的应用场景。该器件设计用于在高效率和高可靠性的电力电子系统中工作,适用于诸如电源转换器、电机控制、不间断电源(UPS)和工业自动化等应用。IXYA20N65C3采用了先进的技术,确保了在高电压下的稳定性和低导通电阻,从而提高了整体系统的效率。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):650V
  漏极电流(ID):20A
  导通电阻(RDS(on)):0.18Ω(最大)
  栅极电压(VGS):±20V
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-247AC

特性

IXYA20N65C3具备多个显著的特性,使其在电力电子应用中表现出色。首先,其高耐压能力(650V)使其能够承受高电压的工作环境,适用于需要高电压隔离的应用。其次,该MOSFET的导通电阻较低(最大0.18Ω),这降低了导通损耗并提高了整体效率。此外,该器件能够在高电流下稳定工作(最大漏极电流为20A),适合高功率需求的应用。其宽栅极电压范围(±20V)提供了灵活性,并允许使用不同的驱动电路进行控制。IXYA20N65C3的封装为TO-247AC,具有良好的散热性能,有助于在高功率运行时保持较低的工作温度,从而延长器件的使用寿命。此外,该器件具有良好的热稳定性和抗过载能力,能够在苛刻的工作条件下保持可靠运行。这些特性使得IXYA20N65C3成为工业电源、电机驱动器、电源管理模块和高功率DC-DC转换器等应用的理想选择。
  在实际应用中,IXYA20N65C3的高效率和高可靠性可以显著降低系统的能耗和维护成本。例如,在电源转换器中,该器件能够减少能量损耗,提高转换效率;在电机控制应用中,它能够提供稳定的电流输出,确保电机运行的平稳性。此外,该MOSFET的高耐用性和稳定性也使其适用于需要长时间连续运行的工业设备,如不间断电源(UPS)和工业自动化控制系统。

应用

IXYA20N65C3广泛应用于多个领域,包括工业电源、电机控制、不间断电源(UPS)、电源转换器、高功率DC-DC转换器以及工业自动化控制系统。该器件特别适合需要高电压和高电流能力的场合,例如高压电源管理、工业设备的电源供应、以及需要高效率能量转换的系统。其高可靠性和耐久性也使其成为工业自动化和电力电子设备的理想选择。

替代型号

STW20NM60, FQA20N65S, IRFP4668

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IXYA20N65C3参数

  • 现有数量0现货800Factory查看交期
  • 价格300 : ¥22.86870管件
  • 系列XPT?, GenX3?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)20 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)105 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.5V @ 15V,20A
  • 功率 - 最大值230 W
  • 开关能量430μJ(开),650μJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷30 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值19ns/80ns
  • 测试条件400V,20A,20 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)34 ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装TO-263AA