MBR10150CT-E1 时间：2025/12/26 12:39:32 阅读：9

MBR10150CT-E1是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的高性能肖特基势垒二极管，采用双共阴极配置，适用于高效率的电源转换应用。该器件具有低正向压降和快速恢复特性，能够有效减少开关损耗并提升系统整体效率。其最大平均整流电流可达10A，反向重复峰值电压为150V，适合用于各种中等电压、大电流的直流-直流转换器、逆变器、电源适配器及AC-DC整流电路中。MBR10150CT-E1采用TO-220AB封装，具备良好的热性能和机械稳定性，能够在较宽的环境温度范围内可靠运行。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和卤素，满足现代电子产品对绿色环保的要求。由于其优异的电气特性和坚固的封装设计，MBR10150CT-E1广泛应用于工业电源、通信设备、消费类电子以及太阳能逆变系统等领域。
　　这款二极管特别适用于需要高效能整流解决方案的设计场景，尤其是在连续导通模式下工作的同步整流拓扑结构中表现出色。其低正向压降（典型值约为0.87V @ IF = 5A）显著降低了导通损耗，有助于提高电源系统的整体能效。同时，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，因此不存在少数载流子存储效应，从而实现了极快的开关速度和几乎无反向恢复电荷的特性，这在高频开关电源中尤为重要，可有效抑制电磁干扰（EMI）并降低开关节点的电压振铃现象。

参数

类型：肖特基势垒二极管
　　配置：双共阴极
　　最大反向重复峰值电压（VRRM）：150V
　　最大直流阻断电压（VR）：150V
　　最大平均整流电流（IO）：10A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A
　　最大正向压降（VF）：1.05V @ TJ = 125°C, IF = 10A
　　最大漏电流（IR）：1.0mA @ TJ = 125°C, VR = 150V
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装/外壳：TO-220AB
　　安装类型：通孔

特性

MBR10150CT-E1的核心优势在于其卓越的低正向压降与高电流处理能力之间的平衡，使其成为中高功率整流应用的理想选择。该器件采用先进的平面工艺制造，确保了稳定的电气性能和长期可靠性。其正向压降在额定工作条件下保持在较低水平，典型值在5A时约为0.87V，在10A时不超过1.05V，这一特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率，尤其在低压大电流输出的应用中效果更为明显。得益于肖特基势垒结构，该二极管无需依赖少数载流子的注入与复合过程进行导通，因此不存在传统PN结二极管所具有的反向恢复时间（trr），从根本上消除了反向恢复电荷（Qrr）带来的开关损耗和噪声问题。这对于工作频率较高（如几十kHz到数百kHz）的开关电源来说至关重要，可以显著改善动态响应，减少功率级中的应力，并降低散热需求。
　　该器件的双共阴极配置允许两个独立的肖特基二极管共享同一个阴极连接，常用于全波整流或双路输出同步整流拓扑中，简化PCB布局并提高功率密度。TO-220AB封装不仅提供了良好的电气隔离，还具备出色的散热能力，通过将器件安装在散热器上可进一步提升其持续电流承载能力。MBR10150CT-E1的工作结温最高可达+150°C，表明其可在高温环境下稳定运行，适用于工业级和严苛环境下的电源系统。此外，该器件具有较强的抗浪涌能力，峰值正向浪涌电流可达200A（单次非重复脉冲），能够在电源启动或负载突变期间承受瞬态过流冲击，增强了系统的鲁棒性。所有参数均经过严格测试和筛选，确保批次一致性，便于大规模生产中的质量控制。

应用

MBR10150CT-E1广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于：开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流模块、不间断电源（UPS）、逆变器、电机驱动器、电信整流器以及太阳能发电系统中的旁路与防反接电路。其高效率特性使其特别适合用于服务器电源、网络设备电源单元以及LED驱动电源等对能效要求较高的场合。在笔记本电脑适配器、充电器和工业控制电源中，该器件可用于次级侧整流，替代传统的快恢复二极管以提升转换效率。此外，在电池管理系统（BMS）中也可用作防止反向放电的保护元件。由于其具备良好的热稳定性和抗浪涌能力，也适用于汽车电子外围电源模块（尽管并非车规级器件）。在大功率LED照明电源中，MBR10150CT-E1可用于实现高效的恒流驱动电路中的续流路径。其双二极管结构还可用于构建中心抽头变压器的全波整流电路，常见于老式但仍在使用的离线式电源设计中。总之，凡是有高效、大电流、中低压整流需求的应用场景，MBR10150CT-E1都是一个极具竞争力的选择。