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MBR0520W B2 发布时间 时间:2025/8/16 19:03:06 查看 阅读:18

MBR0520W B2是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的肖特基势垒整流器(Schottky Barrier Rectifier),常用于低电压、高频开关应用。该器件具有低正向压降和快速开关特性,非常适合用于电源转换系统,如DC-DC转换器和电源管理电路。MBR0520W B2采用双芯片结构,封装形式为SOT-223,适用于表面贴装技术(SMT)。

参数

最大重复峰值反向电压(VRRM):20V
  最大平均整流电流(IF(AV)):0.5A
  正向压降(VF):0.35V(典型值)
  反向漏电流(IR):100μA(最大值)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-223

特性

MBR0520W B2具有多个显著的技术特性。首先,它的低正向压降(VF)使得在正向导通状态下的功率损耗较小,从而提高了系统的整体效率。这一特性对于电池供电设备或高效能电源系统尤为重要。
  其次,该器件具备快速开关能力,反向恢复时间(trr)非常短,适用于高频开关电路。这种特性使其在DC-DC转换器、开关电源(SMPS)以及同步整流等应用中表现出色。
  此外,MBR0520W B2采用了双芯片结构,内部集成了两个独立的肖特基二极管,可以用于半桥整流或双向开关等应用。这种设计不仅节省了PCB空间,还简化了电路设计。
  该器件的SOT-223封装形式具有良好的热性能,能够有效散热,适用于高密度表面贴装技术(SMT)工艺。同时,该封装也提供了良好的机械稳定性,适合在恶劣环境下使用。
  MBR0520W B2的工作温度范围为-55°C至+150°C,符合工业级温度要求,适用于各种严苛工作环境。其反向漏电流(IR)在高温下保持较低水平,有助于提高系统的稳定性和可靠性。

应用

MBR0520W B2广泛应用于各种电子设备和系统中,特别是在需要低电压、高频整流和高效能转换的场合。常见应用包括DC-DC转换器中的输出整流部分、开关电源(SMPS)中的同步整流电路、电池充电管理电路、低电压逆变器、LED驱动电路以及电源管理系统中的隔离电路。
  在DC-DC转换器中,MBR0520W B2的低正向压降特性可以有效降低功率损耗,提高转换效率,尤其适合用于低输出电压(如5V或更低)的场合。在同步整流电路中,它可以替代传统的硅二极管,进一步提高转换效率并减少发热。
  此外,该器件也可用于电信设备、网络设备、消费类电子产品(如笔记本电脑、平板电脑、智能手表等)以及工业控制系统的电源模块中。由于其小型化封装和高可靠性,它也适用于便携式设备和高密度PCB设计。
  在LED照明系统中,MBR0520W B2可用于驱动电路中的整流元件,提供高效稳定的电流路径。在电池管理系统中,它可以用于电池的反向保护或充放电控制电路。

替代型号

MBR0520W B3, MBR0520T, MBR0520CT, SBM10U200NG

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