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UF3205L-TQ2-R 发布时间 时间:2025/6/18 21:43:57 查看 阅读:4

UF3205L-TQ2-R 是一款高性能的功率场效应晶体管(MOSFET),属于 N 沟道增强型 MOSFET。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等需要高效能和快速开关的应用场景。
  其设计优化了导通电阻和开关特性,从而降低了功耗并提高了系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:2.9mΩ
  栅极电荷:70nC
  总电容:200pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

UF3205L-TQ2-R 具有低导通电阻和高效率的特点,这使得它在高电流应用中表现出色。同时,该器件具有良好的热稳定性和抗静电能力(ESD 保护等级高于 4kV)。
  其封装形式为 TO-263-3(D2PAK),具备出色的散热性能,能够适应严苛的工作环境。
  此外,该 MOSFET 的开关速度快,可显著减少开关损耗,并且支持高频操作,适用于现代电子设备对高效能和小型化的要求。

应用

该器件主要应用于开关电源(SMPS)、电机驱动电路、负载切换、逆变器、电池保护电路等领域。
  由于其高电流承载能力和低导通电阻,UF3205L-TQ2-R 在大功率 DC-DC 转换器中也表现优异。同时,它还被广泛用于工业自动化控制和汽车电子系统中的功率管理模块。

替代型号

IRF3205
  FDP3205
  AOD3205

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