时间：2025/8/7 13:23:23
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MBPF21B2450H46-N36 是一款由美国Microsemi公司（现为Microchip Technology旗下品牌）设计制造的射频（RF）功率晶体管，属于横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件。该晶体管专为高功率射频应用而设计，通常用于通信基站、广播系统、工业加热设备以及射频测试和测量设备。MBPF21B2450H46-N36 结合了高功率增益、良好的线性度和高效率，适用于多种高频应用场景。
类型：LDMOS射频功率晶体管
频率范围：2.1 GHz - 2.4 GHz
工作电压：28V
输出功率：500W（典型值）
增益：约20 dB
效率：约40%
封装类型：螺栓式金属封装
阻抗匹配：50Ω
输入驻波比（VSWR）：≤2.5:1
输出驻波比（VSWR）：≤2.5:1
MBPF21B2450H46-N36具备一系列优异的电气和热性能，适用于高强度的射频功率放大需求。其工作频率范围覆盖2.1 GHz至2.4 GHz，使其适用于Wi-Fi 802.11b/g/n/ac、WiMAX、2.4 GHz ISM频段设备以及部分5G通信频段。该器件在28V电源供电下可提供高达500W的输出功率，功率增益约为20dB，具备较高的线性度和稳定性。
此外，该晶体管具有出色的热管理能力，采用螺栓式金属封装，确保在高功率工作条件下有效散热，提高器件的可靠性和寿命。其输入和输出驻波比（VSWR）均小于2.5:1，保证了良好的阻抗匹配和信号传输效率。
MBPF21B2450H46-N36的设计支持宽带应用，能够在较宽的频率范围内保持稳定性能，适用于多标准和多频段系统。其高效率（约40%）有助于降低功耗和热量产生，适用于对功耗和散热要求较高的应用场合。
该晶体管广泛应用于无线通信基站、Wi-Fi接入点、WiMAX系统、射频测试设备、工业加热和等离子体发生器等领域。其高输出功率和宽频带特性使其成为高功率无线发射设备的理想选择。
MRF6VP20250H、NXP BLF881、MRF6V20300N
