IMD3AFRAT108 是一款高性能、高集成度的射频功率放大器模块,专为无线通信应用设计。该模块基于先进的 GaN(氮化镓)技术制造,具有出色的线性度和效率。它广泛适用于蜂窝基站、微波链路以及其他需要高效射频放大的场景。IMD3AFRAT108 内部集成了匹配网络、偏置电路和保护电路,极大简化了系统设计并提高了可靠性。
其工作频率范围通常覆盖多个通信频段,同时支持多种调制方式。由于采用表面贴装封装形式,该器件非常便于自动化生产,并且具备良好的散热性能。
型号:IMD3AFRAT108
类型:射频功率放大器模块
工艺:GaN(氮化镓)
工作频率范围:3.4 GHz 至 3.6 GHz
输出功率:43 dBm(典型值)
增益:12 dB(典型值)
电源电压:28 V
静态电流:5 A(最大值)
效率:50%(典型值)
封装形式:SMD(表面贴装)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
尺寸:30 mm x 30 mm x 5 mm
IMD3AFRAT108 的主要特性包括:
1. 高效的 GaN 工艺确保在高频段下提供卓越的功率增益和线性度。
2. 内置匹配网络减少了外部元件需求,从而降低了整体解决方案的成本和复杂性。
3. 提供强大的过温保护和负载牵引保护功能,增强了系统的稳定性和寿命。
4. 高输出功率和效率使得其非常适合于要求严格的通信基础设施应用。
5. 宽带操作能力使其能够适应多频段应用环境。
6. 紧凑型 SMD 封装设计简化了 PCB 布局并支持高效的热管理。
7. 极低的失真率保证了高质量的信号传输效果。
IMD3AFRAT108 主要应用于以下领域:
1. 蜂窝基站中的射频功率放大环节。
2. 微波链路设备以实现长距离数据传输。
3. 固定无线接入(FWA)网络中作为核心发射组件。
4. 公共安全通信系统中的大功率射频放大器。
5. 测试与测量仪器中用于产生高精度射频信号。
6. 卫星通信地面站的前端功率增强部分。
该器件凭借其优异的性能,在任何需要高效射频放大的场合都能表现出色。
IMD3AFRBT108, IMD3AFRCT108