MBN800GS12BW 时间：2025/9/7 16:43:44 阅读：14

MBN800GS12BW 是一款由东芝（Toshiba）生产的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，主要用于高功率应用，如工业电机驱动、电力逆变器和可再生能源系统。该模块集成了多个IGBT芯片和反并联二极管，提供高效的功率开关功能。MBN800GS12BW 采用双列直插式封装（Dual In-line Package），适用于高电压和高电流的工作环境。

参数

类型：IGBT模块
　　集电极-发射极电压（Vce）：1200V
　　额定集电极电流（Ic）：800A
　　短路耐受能力：10μs @ 175°C
　　工作温度范围：-40°C ~ +175°C
　　封装形式：双列直插式（DIP）
　　最大功耗：300W
　　导通压降（Vce_sat）：约2.1V（典型值）@ Ic=800A
　　短路电流能力：800A（最大）
　　热阻（Rth）：0.22°C/W（典型值）
　　栅极驱动电压范围：±20V

特性

MBN800GS12BW 具备多项高性能特性，适用于工业级高功率应用。首先，该模块的额定集电极电流高达800A，能够承受较大的负载电流，适合用于大功率逆变器和电机控制器。其次，其集电极-发射极击穿电压为1200V，能够在高压环境下稳定工作，适用于工业电源和UPS系统。此外，MBN800GS12BW 内部集成多个IGBT芯片，并采用先进的焊接技术和封装设计，确保良好的热管理和长期可靠性。
　　该模块的导通压降较低，典型值约为2.1V，有助于降低导通损耗，提高整体效率。同时，其具备较强的短路耐受能力，在175°C下可承受10μs的短路电流，增强了系统在异常工况下的稳定性。模块的热阻为0.22°C/W，散热性能优异，能够有效降低温升，延长使用寿命。
　　MBN800GS12BW 的栅极驱动电压范围为±20V，兼容多种驱动电路设计，便于集成到不同的功率变换系统中。此外，其封装采用双列直插式结构，便于安装和维护，适用于需要高可靠性和高稳定性的工业应用场景。

应用

MBN800GS12BW 主要应用于工业电机驱动、变频器、电力逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等高功率电子系统。由于其高电流容量和良好的热稳定性，该模块特别适合用于需要高效能和高可靠性的工业自动化设备和电力电子装置。例如，在变频器中，MBN800GS12BW 可用于实现交流电机的高效调速控制；在太阳能逆变器中，该模块可用于将直流电转换为交流电并馈入电网。