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IRF7465 发布时间 时间:2025/4/30 19:32:29 查看 阅读:3

IRF7465是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Vishay International Rectifier生产。该器件采用逻辑电平驱动设计,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于高频开关应用和功率转换电路。
  IRF7465的主要特点是其低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,能够有效降低功耗并提高系统效率。它广泛应用于计算机、通信设备、消费电子以及工业控制等领域中的DC-DC转换器、逆变器和电机驱动等场景。

参数

最大漏源电压(Vdss):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):49A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):235W
  结温范围(Tj):-55°C至+150°C
  封装类型:TO-220

特性

IRF7465具备以下显著特性:
  1. 低导通电阻,有助于减少传导损耗并提升效率。
  2. 快速开关性能,适合高频应用环境。
  3. 逻辑电平兼容栅极驱动,简化了电路设计并降低了驱动功耗。
  4. 高雪崩能量能力,增强了器件的可靠性和鲁棒性。
  5. 封装形式为标准TO-220,便于安装与散热管理。

应用

IRF7465可应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级元件。
  4. 电池保护及负载切换。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

IRF7407, IRF7408

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IRF7465参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C280 毫欧 @ 1.14A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds330pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF7465