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ISC3535VGBC1MCK3 发布时间 时间:2025/7/30 18:40:20 查看 阅读:6

ISC3535VGBC1MCK3 是一款由 Integrated Silicon Solution(ISSI)公司生产的高性能、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)控制器芯片。该器件广泛应用于需要高速存储器接口的嵌入式系统和工业控制领域,支持多种SRAM类型,并提供灵活的配置选项。

参数

制造商:Integrated Silicon Solution (ISSI)
  类型:SRAM控制器
  封装类型:TQFP
  引脚数:100
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  电源电压范围:2.3V至3.6V
  接口类型:并行
  最大时钟频率:166MHz
  内存类型支持:异步SRAM
  数据总线宽度:16位
  地址总线宽度:24位

特性

ISC3535VGBC1MCK3 提供高性能的SRAM控制功能,支持高达166MHz的主频,确保了高速数据访问能力。其低功耗设计使其适用于对功耗敏感的应用场景。
  该芯片支持16位数据总线和24位地址总线,最大可寻址内存空间为256MB。其异步SRAM接口支持多种SRAM类型,包括普通的异步SRAM和具有特殊时序要求的SRAM设备。
  此外,ISC3535VGBC1MCK3 集成了可编程的等待状态发生器和片选信号发生器,允许用户根据外部存储器的时序要求进行灵活配置。这大大增强了其在不同系统设计中的兼容性和适应性。
  该器件采用100引脚TQFP封装,具有良好的热性能和机械稳定性,适合在工业级温度范围(-40°C至+85°C)内工作,广泛应用于工业自动化、通信设备和嵌入式系统等领域。

应用

ISC3535VGBC1MCK3 主要用于嵌入式系统中的SRAM接口控制,常见应用包括工业控制设备、数据采集系统、通信模块和需要高速存储器访问的便携式设备。其灵活性和高性能特性使其成为需要高效内存管理方案的理想选择。

替代型号

Cypress CY7C1041V33-10ZSXC, ISSI IS61LV25616-10B4B