类型：功率MOSFET
　　额定电压：200V
　　额定电流：18A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.12Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +200°C
　　封装形式：TO-263（表面贴装）
　　栅极电荷（Qg）：35nC（典型值）
　　短路耐受能力：5ms @ 100V, 25°C
　　热阻（RθJC）：1.0°C/W
　　绝缘等级：增强型绝缘

MBN325A182177S 具备优异的高温工作性能，能够在极端环境下保持稳定运行，适用于高温电机驱动、功率逆变器、开关电源等应用。其低导通电阻特性有助于降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热管理和短路保护能力，可有效防止因异常工况导致的器件损坏。
　　该器件采用先进的硅工艺技术制造，确保了在高温下的长期可靠性。其增强型绝缘设计和高耐压能力，使其在高电压应用中具有出色的稳定性和安全性。此外，MBN325A182177S 还具备快速开关能力，有助于提升系统的响应速度和动态性能。
　　在封装方面，TO-263 封装形式不仅支持表面贴装工艺，提高生产效率，还具备良好的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能维持较低的工作温度。整体设计兼顾了电气性能、热管理和机械强度，适用于各类严苛工业环境。

MBN325A182177S 主要应用于工业自动化设备、电机驱动系统、逆变器与变频器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及汽车电子控制系统。由于其高温耐受能力和高可靠性，特别适合用于需要长时间连续运行的工业设备和高温环境中运行的电子系统。
　　此外，该器件也可用于航空航天领域的电源转换系统、电动交通工具的电机控制器以及高精度工业测试设备。其高稳定性和优异的电气性能使其成为高要求应用中的首选功率MOSFET之一。

STP20NK20Z, IRF1405, FDP20N20, SiHF20N20