3DG4 时间：2025/8/2 2:10:43 阅读：17

3DG4是一种常见的双极性晶体管（BJT）型号，属于NPN型晶体管。该型号晶体管广泛应用于低功率放大和开关电路中，因其高频特性和良好的增益性能而受到青睐。3DG4系列晶体管通常采用TO-92或类似的塑料封装形式，适用于各种电子设备和电路设计。

参数

类型：NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：40V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　电流增益（hFE）：在Ic=2mA时，典型值为100至300（根据不同后缀等级可能有所变化）
　　频率响应（fT）：典型值为100MHz

特性

3DG4晶体管具有良好的高频放大性能，非常适合用于射频（RF）和中频（IF）信号放大应用。
　　其电流增益（hFE）范围较宽，可以根据具体需求选择不同等级的器件，适用于多种电路设计。
　　该晶体管的封装形式紧凑，功耗较低，适合用于便携式电子设备和小型化电路板设计。
　　3DG4具备较高的击穿电压和较强的电流承载能力，使其在开关电路中表现出良好的稳定性和可靠性。
　　由于其优异的温度特性，3DG4能够在较宽的环境温度范围内正常工作，适用于苛刻的工业环境。

应用

3DG4晶体管广泛应用于模拟和数字电路中的信号放大、开关控制以及缓冲电路。
　　常见于音频放大器、射频信号放大器、低噪声前置放大器等高频电路设计中。
　　在数字电路中，3DG4常用于驱动继电器、LED指示灯、小型电机等负载。
　　此外，该晶体管也常用于电源管理电路、振荡器、传感器信号调理电路以及各种通用电子设备中的电子开关和逻辑电路。