时间：2025/9/1 15:47:18
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IS43DR16640B-3DBL-TR是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）生产的高性能、低功耗的DRAM芯片。该芯片属于异步DRAM类别，具有16位的数据宽度和64Mbit的存储容量。该器件主要面向需要高速数据存取的应用场景，例如网络设备、工业控制、消费类电子产品等。IS43DR16640B-3DBL-TR采用TSSOP（Thin Small Outline Package）封装，适合在紧凑型PCB设计中使用。
容量：64Mbit
组织方式：16位 x 4M
封装类型：TSSOP
工作电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns
工作温度：-40°C至+85°C
最大工作频率：约185MHz
数据保持电压：2.0V
封装引脚数：54
IS43DR16640B-3DBL-TR具备多项高性能和可靠性特点。其高速访问时间为5.4ns，能够支持高达185MHz的工作频率，从而确保了快速的数据读写能力。该芯片支持异步操作，适用于需要灵活时序控制的设计方案。工作电压范围宽（2.3V至3.6V），使其在不同供电条件下都能稳定运行。此外，该芯片具备低功耗特性，在待机模式下功耗极低，适用于对功耗敏感的应用。封装方面，TSSOP形式不仅节省空间，而且具备良好的散热性能，适合在高温环境下使用。芯片还具备数据保持模式，在供电电压降至2.0V时仍可保持数据不丢失，提高了系统的可靠性。
在工业温度范围（-40°C至+85°C）下正常工作，使IS43DR16640B-3DBL-TR适用于各种严苛的环境条件。其高可靠性和稳定性也使其成为工业控制设备、嵌入式系统、通信模块等领域的理想选择。
该芯片广泛应用于需要高速、低功耗存储的嵌入式系统，如路由器、交换机、工业计算机、视频采集设备、手持终端等。由于其异步接口和宽电压特性，IS43DR16640B-3DBL-TR特别适合用于需要灵活时序控制和高稳定性的应用场景。在通信领域，它常用于缓存和临时数据存储；在工业控制中，可用于存储程序、运行数据或图形信息；在消费类电子产品中，如智能家电或多媒体设备，也可作为主存或帧缓存使用。
IS43LV16640B-3BL-TR, IS43DR16320B-3DBL-TR
