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IS43DR16640B-3DBL-TR 发布时间 时间:2025/9/1 15:47:18 查看 阅读:13

IS43DR16640B-3DBL-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)生产的高性能、低功耗的DRAM芯片。该芯片属于异步DRAM类别,具有16位的数据宽度和64Mbit的存储容量。该器件主要面向需要高速数据存取的应用场景,例如网络设备、工业控制、消费类电子产品等。IS43DR16640B-3DBL-TR采用TSSOP(Thin Small Outline Package)封装,适合在紧凑型PCB设计中使用。

参数

容量:64Mbit
  组织方式:16位 x 4M
  封装类型:TSSOP
  工作电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:5.4ns
  工作温度:-40°C至+85°C
  最大工作频率:约185MHz
  数据保持电压:2.0V
  封装引脚数:54

特性

IS43DR16640B-3DBL-TR具备多项高性能和可靠性特点。其高速访问时间为5.4ns,能够支持高达185MHz的工作频率,从而确保了快速的数据读写能力。该芯片支持异步操作,适用于需要灵活时序控制的设计方案。工作电压范围宽(2.3V至3.6V),使其在不同供电条件下都能稳定运行。此外,该芯片具备低功耗特性,在待机模式下功耗极低,适用于对功耗敏感的应用。封装方面,TSSOP形式不仅节省空间,而且具备良好的散热性能,适合在高温环境下使用。芯片还具备数据保持模式,在供电电压降至2.0V时仍可保持数据不丢失,提高了系统的可靠性。
  在工业温度范围(-40°C至+85°C)下正常工作,使IS43DR16640B-3DBL-TR适用于各种严苛的环境条件。其高可靠性和稳定性也使其成为工业控制设备、嵌入式系统、通信模块等领域的理想选择。

应用

该芯片广泛应用于需要高速、低功耗存储的嵌入式系统,如路由器、交换机、工业计算机、视频采集设备、手持终端等。由于其异步接口和宽电压特性,IS43DR16640B-3DBL-TR特别适合用于需要灵活时序控制和高稳定性的应用场景。在通信领域,它常用于缓存和临时数据存储;在工业控制中,可用于存储程序、运行数据或图形信息;在消费类电子产品中,如智能家电或多媒体设备,也可作为主存或帧缓存使用。

替代型号

IS43LV16640B-3BL-TR, IS43DR16320B-3DBL-TR

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IS43DR16640B-3DBL-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,500 : ¥33.52512卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率333 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间450 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳84-TFBGA
  • 供应商器件封装84-TWBGA(8x12.5)