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MBN1200GR12EW 发布时间 时间:2025/9/7 8:47:27 查看 阅读:30

MBN1200GR12EW 是一款由东芝(Toshiba)推出的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件设计用于高频功率放大应用,适用于射频(RF)和无线通信领域的各种电子设备。MBN1200GR12EW 具有较高的输出功率和良好的线性性能,能够在高频条件下稳定工作,是高性能射频放大器的理想选择。

参数

类型:NPN型双极晶体管
  最大集电极电流:15A
  最大集电极-发射极电压:120V
  最大发射极-基极电压:5V
  最大功耗:250W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  增益带宽积:200MHz
  封装类型:TO-247
  增益(hFE):60-120
  最大工作频率:100MHz

特性

MBN1200GR12EW 的主要特性之一是其高功率处理能力,能够支持高达250W的最大功耗,使其适用于高功率放大器设计。其NPN结构提供了良好的电流放大性能,hFE值范围在60至120之间,具有较高的电流增益稳定性。
  此外,该晶体管具有较高的最大工作频率(100MHz),适合高频放大应用,例如射频发射器和无线通信设备中的功率放大模块。其TO-247封装不仅提供了良好的散热性能,还便于安装和集成到各种电路板中。
  MBN1200GR12EW 的高耐压特性(最大集电极-发射极电压为120V)使其在高压环境下也能保持稳定运行,提高了系统的可靠性和耐用性。同时,其低饱和压降(VCE(sat))有助于减少功率损耗,提高整体能效。
  该晶体管还具备良好的热稳定性,可在-55°C至+150°C的宽温度范围内正常工作,适应各种恶劣环境下的应用需求。

应用

MBN1200GR12EW 主要用于射频功率放大器、无线通信系统、高频电源转换器、工业控制设备和测试测量仪器中。该晶体管特别适合用于需要高功率、高频响应和高可靠性的应用场合,例如广播发射机、移动通信基站、雷达系统和高频加热设备。
  在无线通信领域,MBN1200GR12EW 可作为主放大器元件,用于增强信号发射功率,提高通信距离和信号质量。在工业自动化系统中,该晶体管可用于驱动高功率负载,如电动机、继电器和电热元件。
  此外,该器件还可用于音频放大器、开关电源和逆变器等电子设备中,提供高效、稳定的功率输出。

替代型号

MBN1200GR12ES、MBN1200GR12EW-GE、2SC2879、2SC1971、RD16HHF1

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