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MBN1200D33B 发布时间 时间:2025/9/7 13:50:10 查看 阅读:3

MBN1200D33B 是一款由 IXYS 公司设计制造的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率、高频率的电源转换和功率控制应用。这款晶体管采用了先进的沟道MOSFET技术,提供了优异的导通和开关性能,适用于需要高效率和低损耗的电路设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):1200V
  最大漏极电流(Id):20A
  导通电阻(Rds(on)):0.33Ω
  栅极电荷(Qg):120nC
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C至150°C
  最大功耗:200W

特性

MBN1200D33B 具备多项显著特性,使其在高功率应用中表现出色。
  首先,该MOSFET的最大漏源电压可达1200V,支持在高压环境下稳定工作,适合用于高电压转换器、电源供应器和工业电机控制等场景。其次,其最大漏极电流为20A,能够支持较大功率的负载需求。
  导通电阻方面,MBN1200D33B 的 Rds(on) 为0.33Ω,这在同类高压MOSFET中属于较低水平,有助于减少导通损耗,提高系统整体效率。同时,该器件的栅极电荷为120nC,表明其开关速度较快,适用于高频开关应用,进一步提升转换效率。
  此外,该器件采用 TO-247 封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。其工作温度范围为-55°C至150°C,保证了在极端温度下的可靠性。
  MBN1200D33B 还具备较强的热稳定性和过载能力,能够有效应对瞬态电流和突发负载,从而提高系统的鲁棒性。其最大功耗为200W,说明在高功率操作下仍能保持良好的稳定性。
  综上所述,MBN1200D33B 是一款性能优越的高压MOSFET器件,适用于需要高可靠性和高效能的电源管理解决方案。

应用

MBN1200D33B 广泛应用于多个高功率和高电压的技术领域。其典型应用包括电源转换器、DC-DC变换器、逆变器以及功率因数校正(PFC)电路。在电源供应器中,该器件能够高效处理高压输入,并提供稳定的输出功率,适用于服务器电源、工业设备电源和电信设备电源等场景。此外,MBN1200D33B 还可用于电机控制和驱动电路,尤其是在需要高电压和大电流的工业电机、伺服系统和自动化设备中。由于其良好的开关性能和高温稳定性,该MOSFET也适用于太阳能逆变器、电动车充电系统以及储能系统中的功率转换模块。在消费电子领域,该器件可用于高功率LED照明驱动、智能家电电源管理等应用,提供高效能和高可靠性的支持。

替代型号

IXFN20N120, IRGP50B60PD1, FGH40N120SMD

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